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公开(公告)号：CN107221732A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710505085.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/17
Abstract: 本发明公开了一种基于黑磷的超宽带极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成，所述的单元结构包括依次堆叠的保护层、黑磷层、中间介质层、全反射面层；所述的黑磷层由n层黑磷片层组成，黑磷片层与片层之间由隔离介质层隔开，所述的保护层用于防止黑磷与空气或水接触，起到保护作用。该极化器开启了基于黑磷的圆极化器的设计，黑磷超材料的各向异性，使得线‑圆极化转换成为可能；而黑磷的面内各向异性也可能对线‑圆极化转换产生影响；同时，黑磷的单层原子的厚度有利于实现圆极化器的小型化。
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公开(公告)号：CN106129543A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610682339.3
申请日：2016-08-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种基于石墨烯DC接触的双功能极化转换器，基底包括金属底层、硅中层和二氧化硅表层，人工结构为在基底表层上排成阵列的单元结构，所述单元结构为相互正交、中心重合的“工”型石墨烯臂与金属臂，石墨烯臂压在金属臂下方。纵向的石墨烯臂相互连接，横向的金属臂之间有间隙，单元结构阵列的中心处于基底中心线上，纵横向为10～200个单元结构，数量相等。“工”型石墨烯臂与金属臂均以纵向中心线左右对称、以横向中心线上下对称。本发明不改变结构参数，改变偏置电压Vg即可实现线极化和圆极化转换两种功能的切换；石墨烯臂首尾相连形成DC接触，利于石墨烯偏压的一体化控制；结构简单，易于加工生产；转换效率高达99％。
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公开(公告)号：CN106099366A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610741404.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种加载石墨烯去耦网络的微带阵列天线，包括介质板、以及覆于介质板表面的金属地板和2个以上的相互独立的天线阵列单元；2个相邻的天线阵列单元之间设有石墨烯层；该石墨烯层覆于介质板上，且与天线阵列单元之间存在一定的间隙；石墨烯层与一外置直流偏置电压相连接。本发明能够有效降低微带阵列天线中辐射贴片之间的电磁耦合，从而实现阵列天线的紧凑型结构。
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公开(公告)号：CN111200188B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010102420.6
申请日：2020-02-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于太赫兹超材料的多频带电磁感应透明结构，包括第一介质基板、第二介质基板、第一金属条、第二金属条、第一金属对称开口谐振圆环和第二金属对称开口谐振圆环，第二介质基板位于第一介质基板下，第一金属对称开口谐振圆环位于第一金属条和第二金属条之间，第二金属对称开口谐振圆环位于第二金属条远离第一金属对称开口谐振圆环的一侧。在入射电磁场激励的条件下，金属条和电磁波发生强耦合，充当明模谐振；金属对称开口谐振环和电磁波发生弱耦合，充当暗模谐振。基于太赫兹超材料的多频带电磁感应透明结构和入射电磁场的耦合，由明暗模近场耦合原理可以实现多频带的电磁感应透明现象。
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公开(公告)号：CN113794059A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111122114.X
申请日：2021-09-24
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的宽带极化器，所述第一层介质板、所述第二层介质板、所述第三层介质板、所述第四层介质板和所述铜接地板依次排布，所述第一开口谐振圆环设置在所述第一层介质板和所述第二层介质板之间，所述第二开口谐振圆环设置在所述第二层介质板和所述第三层介质板之间，所述第三开口谐振圆环设置在第三层介质板和所述第四层介质板之间，所述第一开口谐振圆环、所述第二开口谐振圆环和所述第三开口谐振圆环呈同心圆样式布置，所述基于超材料的宽带极化器实现了整体高度为12.8mm的多层谐振环叠加结构，同时在2.7至4.6GHz频段内实现了99％以上的极化转换特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113258287A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110671262.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单介质层立体金属墙去耦结构，包括金属墙、底板和两个辐射模块，所述金属墙贯穿所述底板并与所述底板固定连接，且位于所述公共接地板的顶部，两个所述辐射模块分别与所述底板固定连接，并均位于所述底板的顶部，且两个所述辐射模块关于所述金属墙对称设置，在满足去耦和匹配要求的前提下，不仅使天线阻抗匹配变好，而且还实现了较好的去耦效果，修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有技术中方向图偏移的问题。
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公开(公告)号：CN111200188A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010102420.6
申请日：2020-02-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于太赫兹超材料的多频带电磁感应透明结构，包括第一介质基板、第二介质基板、第一金属条、第二金属条、第一金属对称开口谐振圆环和第二金属对称开口谐振圆环，第二介质基板位于第一介质基板下，第一金属对称开口谐振圆环位于第一金属条和第二金属条之间，第二金属对称开口谐振圆环位于第二金属条远离第一金属对称开口谐振圆环的一侧。在入射电磁场激励的条件下，金属条和电磁波发生强耦合，充当明模谐振；金属对称开口谐振环和电磁波发生弱耦合，充当暗模谐振。基于太赫兹超材料的多频带电磁感应透明结构和入射电磁场的耦合，由明暗模近场耦合原理可以实现多频带的电磁感应透明现象。
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公开(公告)号：CN105891555B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610351816.8
申请日：2016-05-25
Applicant: 中国人民解放军61489部队 , 桂林电子科技大学
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种多节渐变同轴式元件高压快脉冲响应测试夹具，其整体为封闭的同轴金属屏蔽体，主要包括左端部分、右端部分和中间部分三部分渐变结构的同轴夹具；所述的左、右两端为结构相同的渐变锥体结构，对称设置在中间部分的两侧；所述的中间部分整体为圆柱形同轴夹具，其包括左段同轴、右段同轴和中段同轴，左段同轴和右段同轴结构相同，对称设置在中段同轴部分的两侧。所述夹具中间部分的内导体外表面和外导体内壁上相对设置有测试器件焊点。同时对夹具中间部分由等径导体向渐变锥体处进行内外径轴向错位补偿，减少了因半径突变造成的高频信号传输性能下降。本发明创新性强，结构简单，各部分尺寸相对固定，可灵活拆卸，方便进行标准化制作和批量加工，具有较好的推广和使用前景。
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公开(公告)号：CN106025572B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610361365.6
申请日：2016-05-26
IPC: H01Q17/00
Abstract: 一种基于局部非周期结构的石墨烯超宽带吸波器，包括金属板层，在金属板层上面至少设置一层吸波层，吸波层由下而上依次设置有介质层、硅层、绝缘介质层和石墨烯层，硅层、绝缘介质层和石墨烯层构成偏压层，其中石墨烯层与硅层分别接外加偏置电压的正负电极，石墨烯层由若干个石墨烯基本单元在二维方向上以陈列形式组成。本发明具有很强的实用性，广泛地用于微波波段、低THz波段。由于其具有简易性的结构，容易在加工工艺中实现。通过调节石墨烯层的阻抗值及非周期结构应用，使吸波器获得超宽带吸波且呈现对极化不敏感的特性。引入多层非周期石墨烯结构，再对每一层加载适当偏置电压，进而使吸波器获得比基于单层的、周期的结构更宽的吸波带宽。
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公开(公告)号：CN114498045B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202210001628.8
申请日：2022-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种零折射率超材料透镜天线，同轴接头嵌入微带贴片天线馈源，并通过底馈的馈电方式与微带贴片天线馈源连接，且位于近零折射率超材料透镜的下方，近零折射率超材料透镜通过螺杆和螺母配合与微带贴片天线馈源连接，并位于微带贴片天线馈源的上方，通过调节超材料的介电常数实现近零折射率，近零折射率超材料的零相移特性，使得经由近零折射率超材料透镜出射的电磁波传播方向能够垂直于透镜表面且近似平行，从而提高了天线的增益。同时，采用微带贴片天线作为馈源，降低了天线剖面，有利于天线小型化。
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