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公开(公告)号：CN113270723B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110620577.2
申请日：2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种类矩形腔体馈电的超材料结构天线，所述腔体波导的侧方开设有贯通的长缝隙，所述匹配段和所述相位梯度超表面均嵌设在所述长缝隙内，所述腔体波导、所述匹配段和所述相位梯度超表面的中线重合，电磁能量主要通过腔体波导两侧长缝隙进行辐射，通过辐射出来的能量来激励相位梯度超表面，再通过超表面单元辐射的原理，设置相位梯度的方向与能量辐射的方向相反，从而使得相位梯度超表面向自由空间辐射能量，通过调整超材料单元的排布即可任意控制波束的角度。所述类矩形腔体馈电的超材料结构天线结构较为简单，且易于加工，既能实现天线的高增益，又能扩展天线的带宽。
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公开(公告)号：CN112490649A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011242362.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种侧馈式的窄地面宽频带贴片天线及其设计方法，通过调整所述金属地面的宽度可以调整天线带宽，所述金属地面宽度越窄带宽越宽，在所述金属地面的一定范围内均可实现天线的超宽带特征，在带宽范围内，H面图的波束宽度得到充分展宽，在某些频点呈现近全向特征，同时通过调整所述金属地面和所述介质层的长度可以使E面图实现多波束；另外，相较于常规同类贴片天线，可以通过减小所述介质板尺寸实现天线小型化设计。本发明可经过相应调整，解决了现有技术中的贴片天线应用领域窄的技术问题。
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公开(公告)号：CN109580545A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910035608.0
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种基于超材料结构的新型微纳折射率传感器，解决的是传统光学折射率传感器由于结构尺寸大，无法实现在纳米尺度进行检测的问题，其结构包括基板和传感单元，其中传感单元位于基板上方并呈等间距分布。所述基板包括两层金属板和一层介质板；所述传感单元包括介质底板和介质底板上设置的两个平行金属纳米圆柱；金属纳米圆柱与介质底板的边缘在纵向相切，所述金属纳米圆柱的长度与传感单元长边的长度一致。所述微纳折射率传感器采用介质底板与第一介质板的材质相同，第一金属板、第二金属板及金属纳米圆柱的材质相同的技术方案，较好地实现了折射率传感器小型化和集成化，可用于以纳米领域的折射率测量为基准的各类传感器中。
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公开(公告)号：CN109613635B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910035610.8
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器，解决的是品质因数差的技术问题，通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的；所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器；所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案；所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽，较好地解决了传统吸波体吸收效率低，吸收半峰全宽大，品质因数低等问题，可用于窄带热辐射器，等离子体生物传感器的应用中。
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公开(公告)号：CN113533251A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110658599.8
申请日：2021-06-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/125
Abstract: 本发明公开了一种基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器，通过银作为衬底材料，在银的上部设置呈周期性阵列布置的矩形纳米腔，并填充乙醇作为温敏材料，从衬底上部入射的偏振光激发SPP和腔共振，使反射谱呈现出两个损耗峰。SPP波长对环境折射率变化非常灵敏，基于SPP波长与环境折射率变化的关系，可实现对环境折射率的测量。又因为所述矩形纳米腔填充了温敏材料，使得腔体的谐振波长随环境温度的变化而变化，基于腔谐振波长与环境温度的关系，可实现对环境温度的测量，解决了现有技术中的基于SPP的传感器无法同时测量折射率参数和温度参数的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111342239A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010266889.3
申请日：2020-04-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种全介质透射型超表面全相位调控器，包括所述周期性排列粒子、所述涂层和所述基底，位置从上往下依次重叠设置的是所述涂层、周期性排列的所述周期性排列粒子以及所述基底，所述周期性排列粒子包括所述水平臂和所述竖直臂，通过改变所述水平臂的长度观察透射谱的分布，最终确定所述水平臂长从而得到的透射谱，平均透射率高达80.3％，如此通过简单的结构可以具有较高的透射效率，可实现0～2π的相位调控。
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公开(公告)号：CN119738926A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510030088.X
申请日：2025-01-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光纤技术领域，具体涉及一种负曲率环形光纤模式选择耦合器，耦合器由两根相同结构的负曲率环形光纤粘接组成，粘连部分为耦合区，未粘连部分形成四个端口分别作为输入输出口，共线输出端和交叉输出端的功率配比由耦合长度L决定；两根负曲率环形光纤的切面均进行研磨，再使用折射率匹配胶水粘接。通过合理设计光纤结构参数，适当地选择两根光纤的中心间隔距离和耦合长度，可以使耦合器可以产生高阶OAM模式，包括OAM01、OAM11、OAM21、OAM31在内共12种OAM模式。相比传统的光纤耦合器，本发明在高阶模式依然可以实现较高的耦合效率，通过对耦合距离和输入模式的调整，还可以实现分光比可调、耦合模式可调。
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公开(公告)号：CN109580545B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910035608.0
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种基于超材料结构的新型微纳折射率传感器，解决的是传统光学折射率传感器由于结构尺寸大，无法实现在纳米尺度进行检测的问题，其结构包括基板和传感单元，其中传感单元位于基板上方并呈等间距分布。所述基板包括两层金属板和一层介质板；所述传感单元包括介质底板和介质底板上设置的两个平行金属纳米圆柱；金属纳米圆柱与介质底板的边缘在纵向相切，所述金属纳米圆柱的长度与传感单元长边的长度一致。所述微纳折射率传感器采用介质底板与第一介质板的材质相同，第一金属板、第二金属板及金属纳米圆柱的材质相同的技术方案，较好地实现了折射率传感器小型化和集成化，可用于以纳米领域的折射率测量为基准的各类传感器中。
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公开(公告)号：CN113270723A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110620577.2
申请日：2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种类矩形腔体馈电的超材料结构天线，所述腔体波导的侧方开设有贯通的长缝隙，所述匹配段和所述相位梯度超表面均嵌设在所述长缝隙内，所述腔体波导、所述匹配段和所述相位梯度超表面的中线重合，电磁能量主要通过腔体波导两侧长缝隙进行辐射，通过辐射出来的能量来激励相位梯度超表面，再通过超表面单元辐射的原理，设置相位梯度的方向与能量辐射的方向相反，从而使得相位梯度超表面向自由空间辐射能量，通过调整超材料单元的排布即可任意控制波束的角度。所述类矩形腔体馈电的超材料结构天线结构较为简单，且易于加工，既能实现天线的高增益，又能扩展天线的带宽。
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公开(公告)号：CN111323391A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010255624.3
申请日：2020-04-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，通过所述基于二维简单超材料结构的维纳折射率传感器是由周期性结构单元构成；所述周期性单元结构由一维介质光栅阵列叠放在SiO2-Al2O3薄膜层上所构成。利用结构产生的导模共振和腔模，对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将结构表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的透射峰的位移，设计实现高灵敏度的微纳尺度折射率传感测量，该传感器具有优越的折射率灵敏度(410.2nm/RIU)和超高的品质因子(4769.8)，也可用于亚波长范围内的气体密度的检测。该传感器既能明显降低半峰全宽，提高传感器的灵敏度，又能有效防止结构的腐蚀及氧化，延长产品的使用寿命。
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