公开(公告)号：CN118335535A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410547969.4

申请日：2024-05-06

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 孙立贤 ,  吴学虎 ,  徐芬 ,  方淞文 ,  张靖 ,  杜毛湛 ,  徐如丹 ,  宋领君 ,  卢俊铭 ,  高源 ,  陈翔 ,  冯俞霖 ,  彭璇 ,  陈悦

IPC分类号： H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种具有P和S双空位镍钴纳米花复合材料，通过两步水热法制备S‑NiCoS，再通过磷化/还原法在S‑NiCoS中引入P空位得到PS‑NiCoS；S‑NiCoS的微观形貌为花状结构；PS‑NiCoS的微观形貌为花状结构，比表面积为66.342m2g‑1，孔径分布为1.4‑12.3nm。其制备方法包括以下步骤：1，S‑NiCoS的制备；2，PS‑NiCoS的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。

公开(公告)号：CN118847170A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410882745.9

申请日：2024-07-03

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 孙立贤 ,  陈翔 ,  徐芬 ,  吴学虎 ,  姚浩然 ,  宋领君 ,  张靖 ,  卢俊铭 ,  高源

IPC分类号： B01J27/19 ,  C01B3/06 ,  B01J35/50 ,  B01J35/30 ,  B01J37/03 ,  B01J37/28

摘要： 本发明公开了一种钌掺杂磷化钴钼纳米花，以钴钼层状双金属氢氧化物为载体，经溶剂共沉淀法负载Ru纳米颗粒及低温气相磷化法制得，所述钴钼层状双金属氢氧化物由水热反应制得；CoMo‑LDH的微观形貌为3D花状结构，花状结构由2D纳米片结构组成；Ru/CoMo‑P，微观形貌为3D花状结构，花体直径范围为3‑5μm，花状结构由2D纳米片结构组成，花状结构的表面存在纳米球结构。其制备方法包括以下步骤：1，钴钼层状双金属氢氧化物的制备；2，Ru/CoMo‑LDH的制备；3，Ru/CoMo‑P的制备。作为硼氢化钠水解制氢方面的催化应用时，在298K下提供的最大产氢速率为15040‑15360mL·min‑1·g‑1，放氢量为理论值的100％；30次回收/重复使用后，保留初始催化活性的80.1‑83.1％；催化放氢的活化能为Ea＝15.03‑15.27kJ·mol‑1。

公开(公告)号：CN115948150A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211465386.4

申请日：2022-11-22

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 孙立贤 ,  宋领君 ,  徐芬 ,  杨瑜锴 ,  魏胜 ,  夏永鹏 ,  张国荣 ,  张靖 ,  邵旗伟 ,  邹勇进 ,  张焕芝

IPC分类号： C09K5/06 ,  C09K5/14 ,  A01N59/16 ,  A01N59/20 ,  A01N25/10 ,  A01N25/08 ,  A01P1/00 ,  A01P3/00 ,  A41D31/30 ,  A41D31/14 ,  A41D31/04 ,  A41D13/005

摘要： 本发明涉及一种基于银纳米线的控温抗菌柔性复合材料，以膨胀石墨、正十八烷、银纳米线、无纺布材料为原料，通过物理吸附和热压法制得，具有柔性、抗菌性能、相变储热性能和控温性能；膨胀石墨为基体材料，正十八烷为相变材料，银纳米线为抗菌材料，无纺布为支撑材料。其制备方法包括以下步骤：1，银纳米线的制备，2，掺杂银纳米线相变控温材料的制备，3，基于银纳米线的控温抗菌柔性复合材料的制备。应用于热管理防护服控温抗菌领域，导热系数为1.4373‑2.0130W/(m·K)；储热密度为78.49‑124.64 J/g；控温时间为133‑214s；相变控温温度为20‑35℃，处于人体适宜温度范围；在高温工作环境下，内环境温度低于外环境4.6‑6.6℃。

公开(公告)号：CN118437373A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410548056.4

申请日：2024-05-06

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 孙立贤 ,  陈翔 ,  徐芬 ,  吴学虎 ,  宋领君 ,  张靖 ,  卢俊铭 ,  高源

IPC分类号： B01J27/24 ,  C01B3/06

摘要： 本发明公开了一种具有片状结构的氮化碳负载磷化钴纳米材料，由氮化碳负载磷化钴CN和CoP组成；其中，所述CN由三聚氰胺，经煅烧实现碳化所得；所述CoP由Co3O4和次磷酸钠NaH2PO2混合后，经煅烧实现磷化所得；所述氮化碳的成分为CN，微观形貌为片状结构；所述氮化碳负载磷化钴纳米材料的成分为CoP‑CN，微观形貌仍为片状结构与所得CN的微观形貌无明显差异，片状表面为纳米球结构。其制备方法包括以下步骤：1，氮化碳CN的制备；2，Co‑CN的制备；3，CoP‑CN的制备。作为硼氢化钠水解制氢方面的催化应用，在298K条件下，最大放氢速率达到1490‑1630mL·min‑1·g‑1；放氢量为理论值的100％，催化放氢的活化能为Ea＝36.1‑37.5kJ·mol‑1；5次回收/重复使用后，保留初始催化活性的85‑89％。

公开(公告)号：CN117331844A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311421978.0

申请日：2023-10-31

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 唐成华 ,  蔡维嘉 ,  帅活力 ,  张靖

IPC分类号： G06F11/36

摘要： 本发明涉及软件脆弱性测试领域，具体是指一种基于样本突变的软件脆弱性测试方法和装置，本发明基于样本突变的软件脆弱性测试方法对受检程序内部逻辑转移的特征进行总结，并制定相应的策略指导测试的进行，根据实施流程可大致分为两阶段，第一阶段是预处理阶段（步骤1至3），主要包括程序上下文信息收集需要的程序插桩处理以及降低测试复杂度所需要的共性逻辑CommonLogic提取，第二阶段则是测试阶段，包含完整的对单个测试用例的测试流程。本发明达成的效果为：一是程序校验机制的突破、程序内部逻辑的快速探索以及高隐匿性脆弱点的尝试性发现，提升了测试过程中的全面性以及测试深度；二是完善传统测试在样本生成阶段存在缺乏有效指导的问题，为样本突变环节提供一定的策略指导，对该环节中存在的随机性、盲目性进行一定程度的收敛，提升生成测试用例的质量。

公开(公告)号：CN115410831B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202211112489.2

申请日：2022-09-14

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 孙立贤 ,  方淞文 ,  王顺香 ,  陈玉莲 ,  徐洁 ,  虞森森 ,  张靖 ,  吴学虎 ,  徐芬 ,  邹勇进

IPC分类号： H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

摘要： 本发明公开了一种NiMo‑LDH@Co‑ZIF‑67多孔核壳结构复合材料，以六水硝酸钴和二甲基咪唑为起始原料制备Co‑ZIF‑67，再以六水硝酸镍、二水钼酸钠、Co‑ZIF‑67和尿素为原料，经一步水热法制得NiMo‑LDH@Co‑ZIF‑67多孔核壳结构复合材料；Co‑ZIF‑67为椭圆片状空心结构的核结构；NiMo‑LDH@Co‑ZIF‑67为多孔核壳结构的壳结构。其比表面积为180‑210 m2 g‑1，孔径分布为3‑4 nm。其制备方法包括：1，Co‑ZIF‑67的制备；2，NiMo‑LDH@Co‑ZIF‑67多孔核壳结构复合材料的制备。作为超级电容器电极材料，在0‑0.5 V，电流密度为1 A g‑1时充放电，比电容为1500‑2000 F g‑1；在电流密度为10 A g‑1，5000圈循环，保留初始比电容的85‑90%。

公开(公告)号：CN117690731A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311719611.7

申请日：2023-12-14

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 孙立贤 ,  吴学虎 ,  徐芬 ,  方淞文 ,  张靖 ,  杜毛湛 ,  徐如丹 ,  宋领君 ,  卢俊铭 ,  高源 ,  陈翔 ,  王艺洁 ,  余楚钰 ,  李蓉江

IPC分类号： H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86

摘要： 本发明公开了一种Co‑Mo‑O/Co‑O/NF多层复合结构材料，以泡沫镍为基底，通过溶剂共沉淀法及退火处理在其表面负载Co3O4，即可得到Co‑O/NF，再经过水热法和分解处理在Co3O4的表面负载CoMoO4，即可得到Co‑Mo‑O/Co‑O/NF；所述Co‑O/NF的微观形貌为片状结构；所述Co‑Mo‑O/Co‑O/NF的微观形貌为多层复合结构，其中，Co3O4为内层，CoMoO4为外层。其制备方法包括以下步骤：1，Co‑O/NF的制备；2，Co‑Mo‑O/Co‑O/NF的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.55V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2mA cm‑2时，比电容为2‑4F cm‑2；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑5000圈循环后保留初始比电容的60‑80％。

公开(公告)号：CN117672712A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311757511.3

申请日：2023-12-20

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 邹勇进 ,  陈玉莲 ,  方淞文 ,  李煜 ,  张靖 ,  吴学虎 ,  罗勇 ,  孙立贤 ,  徐芬 ,  苗蕾 ,  周建华

IPC分类号： H01G11/30 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/86

摘要： 本发明公开了一种Co‑Ni‑S中空微球状复合材料，以六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、硝酸镓水合物、尿素、氟化铵和九水合硫化钠为原料，经第一步水热反应制备Co‑Ni‑Ga‑CH后，再经第二步水热反应制得，简称Co‑Ni‑S。Co‑Ni‑Ga‑CH的微观形貌为中空微球状结构，其中微球表面由光滑薄片组成；Co‑Ni‑S由(Co,Ni)3S4和NiS组成，不存在Ga(OH)3以及其他包含Ga元素的相关化合物，其微观形貌依然为中空微球状结构，且微球表面是由纤维化多孔片组成，其比表面积为20‑40m2g‑1，孔径分布为2‑4nm和20‑40nm。Ga元素可循环利用。其制备方法包括以下步骤：1，Co‑Ni‑Ga‑CH前驱体的制备；2，Co‑Ni‑S中空微球状复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1A g‑1时，比电容为1400‑1450F g‑1。

公开(公告)号：CN117463381A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311429843.9

申请日：2023-10-31

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 孙立贤 ,  高源 ,  徐芬 ,  荚鑫磊 ,  吴学虎 ,  宋领君 ,  张靖 ,  陈翔 ,  卢俊铭

IPC分类号： B01J27/185 ,  C01B3/06 ,  B01J37/28 ,  B01J37/10 ,  B01J35/52 ,  B01J35/40 ,  B01J35/50 ,  B01J35/45

摘要： 本发明公开了一种具有空心球结构的钌负载磷化镍纳米材料，以磷化镍空心球为载体，经化学还原法负载Ru纳米颗粒制得，微观形貌为空心球状结构；磷化镍空心球由镍空心球磷化所得，镍空心球由水热反应制得；镍空心球的成分为3Ni(OH)2·2H2O，磷化镍空心球的成分为Ni2P，钌负载磷化镍纳米材料的成分为Ru/Ni2P。其制备方法包括以下步骤：(1)镍空心球的制备；(2)磷化镍空心球的制备；(3)钌负载磷化镍空心球的制备。作为硼氢化钠水解制氢催化剂的应用，在303K下，最大产氢速率为10219mL·min‑1·g‑1，催化放氢的活化能为Ea＝41.48kJ·mol‑1；6次回收/重复使用后，保留初始催化活性的88％。

公开(公告)号：CN117271364A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311377990.6

申请日：2023-10-24

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 唐成华 ,  帅活力 ,  关晓龙 ,  张靖

IPC分类号： G06F11/36 ,  G06F21/57 ,  G06F21/56

摘要： 本发明涉及程序缺陷检测技术领域，具体涉及一种基于程序切片的代码缺陷检测方法。一种基于程序切片的代码缺陷检测方法，包括如下步骤：生成敏感变量列表、函数调用和函数声明的关联列表以及敏感变量的变量关联集；提取代码中的语义依赖信息，相应补充至普通结点、函数声明结点和函数调用结点中，建立程序的控制流变量依赖图，建立交叉函数的控制流变量依赖图，步骤5，遍历交叉函数的控制流变量依赖图执行切片，以敏感变量列表中的变量和该敏感变量的变量关联集合中的变量作为新切片阶段需追踪的变量，本发明将集合中的变量作为切片阶段需追踪的变量进行切片，对结果中的语句进行语义分析和约束检查，提高了缺陷检测率。