-
公开(公告)号：CN117820696A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410022376.6
申请日：2024-01-08
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种具有高拉伸和自愈合性能的透明水凝胶电解质膜，以水性聚氨酯WPU，聚乙烯醇PVA，纤维素纳米纤维素CNF为结构支撑物，使用物理浇注法制备柔性自支撑水凝胶电解质膜；具有光学透明性和自愈合性能；由非晶相构成，呈现无定相结构；微观结构为交联网络结构；拉伸强度为5.8‑6.0mPa，断裂伸长率为170‑172％；切割自愈合后，拉伸强度恢复率为91.6‑92.0％，断裂伸长率的恢复率为98.0‑98.8％。其制备方法包括以下步骤：1，PVA水凝胶的制备；2，PVA,WPU,CNF和KOH混合液的制备；3，PVA/WPU/CNF‑KOH水凝胶电解质膜的制备。作为超级电容器中电解质材料的应用，当电流密度为0.5A g‑1时，比电容为264‑270F g‑1；切割自愈合后的比电容恢复率为97‑98％。
-
公开(公告)号：CN118335535A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410547969.4
申请日：2024-05-06
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种具有P和S双空位镍钴纳米花复合材料，通过两步水热法制备S‑NiCoS，再通过磷化/还原法在S‑NiCoS中引入P空位得到PS‑NiCoS；S‑NiCoS的微观形貌为花状结构；PS‑NiCoS的微观形貌为花状结构，比表面积为66.342m2g‑1，孔径分布为1.4‑12.3nm。其制备方法包括以下步骤：1，S‑NiCoS的制备；2，PS‑NiCoS的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。
-
公开(公告)号：CN117936282A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410132821.4
申请日：2024-01-31
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于废弃灵芝的多孔碳材料，以废弃的灵芝为碳源，采用预碳化与碱溶液处理的方法获得硫脲掺杂的前驱体，再经煅烧可制得多孔碳材料；废弃灵芝多孔碳材料具有大孔和微孔共存的多孔结构，大孔尺寸为2‑3μm，微孔尺寸为1‑2nm。其比表面积为1600‑1610m2g‑1，平均孔径大小为3.00‑3.10nm，孔体积为1.10‑1.20cm2g‑1。其制备方法包括以下步骤：1，废弃灵芝的加工；2，废弃灵芝的预碳化；3，碳化后前驱体的活化；4，活化后前驱体的煅烧。作为超级电容器的电极材料的应用，当电流密度为0.5A g‑1时，比电容为356‑366F g‑1。
-
公开(公告)号：CN118185094A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410414076.2
申请日：2024-04-08
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种透明可拉伸性AgNWs‑WPU薄膜，以水性聚氨酯WPU为基底材料，银纳米线AgNWs作为导电材料，通过物理浇注法制得；AgNWs‑WPU薄膜具有透明性，高拉伸性能和高导电性能；其微观结构为均一的三维网络结构，薄膜的阻抗为1.91‑2.0Ω；透明性为，具有透光性，并且，在500nm处的透光率69‑70％；高拉伸性能为，拉伸强度为43.4‑45.0MPa，断裂伸长率为210.5‑215.0％。其制备方法包括以下步骤：1，AgNWs‑WPU混合溶液的制备；2，AgNWs‑WPU薄膜的制备。作为超级电容器中电极材料的应用，当电流密度为0.1mA cm‑2时，比电容为595‑600mF cm‑2；当电流密度为2mA cm‑2，充放电循环次数为5000次的条件下，容量保持率为82‑85％，库仑效率为98‑99％。
-
公开(公告)号：CN117995566A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410240131.0
申请日：2024-03-04
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种非晶态NiCo‑LDH/CC‑C复合材料，以硝酸镍、硝酸钴、碳布CC、羧基纤维素钠CMC为原料，以去离子水为溶剂，通过电沉积法制得NiCo‑LDH/CC‑C；所述NiCo‑LDH/CC‑C由NiCo‑LDH和CC复合而得，NiCo‑LDH为非晶态结构，微观形貌为纳米片状结构，厚度为10‑20nm，负载方向为垂直于CC表面且稳定负载于CC表面。其制备方法包括以下步骤：1，镍钴混合溶液的准备；2，NiCo‑LDH/CC‑C的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V范围内充放电，在放电电流密度为1A/g时，NiCo‑LDH/CC具有1500‑2100F g‑1的比电容；当质量负载为3.5‑4.2mg cm‑2时，在放电电流密度为2mA cm‑2时，面积比电容为6.4‑8.7F cm‑2。
-
公开(公告)号：CN117986510A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410149235.0
申请日：2024-02-02
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于EG调控微观形貌的EG/DT‑COF，以二氨基蒽醌、三甲酰基间苯三酚、膨胀石墨为原材料，以对甲苯磺酸为催化剂，以去离子水为润滑剂，使用物理研磨法制备复合共价有机骨架超级电容器负极材料；所述材料具有层状的多孔结构，其孔径大小在2‑50nm；所述材料在20‑450℃范围内具有稳定性，在445‑455℃开始分解。其制备方法包括以下步骤：1，膨胀石墨EG的制备；2，基于EG调控微观形貌的EG/DT‑COF的制备。作为超级电容器中负极材料的应用，在‑0.3‑‑1V范围内充放电，当电流密度为1A/g时，比电容为495‑501F/g；在10000次GCD循环后电容保持率为93‑94.4％。
-
公开(公告)号：CN117690731A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311719611.7
申请日：2023-12-14
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种Co‑Mo‑O/Co‑O/NF多层复合结构材料，以泡沫镍为基底，通过溶剂共沉淀法及退火处理在其表面负载Co3O4，即可得到Co‑O/NF，再经过水热法和分解处理在Co3O4的表面负载CoMoO4，即可得到Co‑Mo‑O/Co‑O/NF；所述Co‑O/NF的微观形貌为片状结构；所述Co‑Mo‑O/Co‑O/NF的微观形貌为多层复合结构，其中，Co3O4为内层，CoMoO4为外层。其制备方法包括以下步骤：1，Co‑O/NF的制备；2，Co‑Mo‑O/Co‑O/NF的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.55V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2mA cm‑2时，比电容为2‑4F cm‑2；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑5000圈循环后保留初始比电容的60‑80％。
-
公开(公告)号：CN115910621A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211451836.4
申请日：2022-11-21
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种纳米花状NiCoS/NTA复合材料，以氯化镍、氯化钴、硫脲、二水合柠檬酸三钠、氨三乙酸NTA为原料，以去离子水和氨水为溶剂，通过辅助水热法，制得纳米花状NiCoS/NTA复合材料，纳米花状结构由自组装纳米片或纳米棒组成的分级结构；纳米花状结构中，纳米片组成的纳米花结构的直径为1‑3微米，纳米棒组成的纳米花结构的直径为2‑5微米。其制备方法包括以下步骤：1，反应液的准备；2，纳米花状NiCoS/NTA复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1605‑1675 F/g；在20 A /g时，比电容为912‑982F/g。本发明具有以下优点：通过NTA调节微观形貌，形成纳米花状结构，提高稳定性、增加活性位点、提高电化学性能。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.027 秒)
