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公开(公告)号:CN117936282A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202410132821.4
申请日:2024-01-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于废弃灵芝的多孔碳材料,以废弃的灵芝为碳源,采用预碳化与碱溶液处理的方法获得硫脲掺杂的前驱体,再经煅烧可制得多孔碳材料;废弃灵芝多孔碳材料具有大孔和微孔共存的多孔结构,大孔尺寸为2‑3μm,微孔尺寸为1‑2nm。其比表面积为1600‑1610m2g‑1,平均孔径大小为3.00‑3.10nm,孔体积为1.10‑1.20cm2g‑1。其制备方法包括以下步骤:1,废弃灵芝的加工;2,废弃灵芝的预碳化;3,碳化后前驱体的活化;4,活化后前驱体的煅烧。作为超级电容器的电极材料的应用,当电流密度为0.5A g‑1时,比电容为356‑366F g‑1。
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公开(公告)号:CN119673678A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411963593.1
申请日:2024-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种兼具防冻和拉伸性能的水凝胶电解质膜,由聚乙烯醇PVA和海藻酸钠SA为基底材料,甘油Gly作为防冻剂,氯化钾KCl作为电解质,经物理浇筑法和盐析作用以及溶液置换即可制得兼具防冻和拉伸性能的水凝胶电解质膜PSG‑KCl,所述PSG‑KCl兼具防冻形和拉伸性能;具有多孔和网络结构,KCl晶体稳定分散在PVA/SA水凝胶基质表面,尺寸为10‑15μm。拉伸性能为,拉伸强度为20.11‑22.65MPa,断裂伸长率为651.83‑655.1%;防冻性能为,在测试温度为‑20℃的条件下,当电流密度为0.5A g‑1时,比电容值为49.7‑50.85F g‑1。其制备方法包括以下步骤:1,PVA/SA水凝胶膜的制备;2,PSG‑KCl水凝胶电解质膜的制备。作为超级电容器中电解质材料的应用时,当电流密度为0.5A g‑1时,比电容为250‑254F g‑1。
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公开(公告)号:CN119965001A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202510136797.6
申请日:2025-02-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种灵芝多孔碳负载金属氧化物,以灵芝多孔碳作为载体,六水合硝酸镍、六水合硝酸钴、二水合钼酸钠和尿素为原料,通过水热反应和煅烧,即可制得灵芝多孔碳负载金属氧化物NiMoO4/CoMoO4‑CGL,简称为NMO/CMO‑CGL。NMO/CMO‑CGL由非晶态碳、CoMoO4和NiMoO4组成;其微观形貌为蜂窝状多孔结构中存在纳米球结构,其中,纳米球结构为CoMoO4和NiMoO4;比表面积为275‑285m2g‑1。其制备方法包括以下步骤:1,灵芝多孔碳负载金属前驱体的制备;2,灵芝多孔碳负载金属氧化物的制备。作为超级电容器电极材料的应用,当电流密度为1A g‑1时,其比电容的值在802‑812F g‑1;在放电电流密度为10A g‑1,在充放电循环次数为30000圈时,循环稳定性保持为初始比电容的93%‑94%。
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