抛光方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1685482A

    公开(公告)日:2005-10-19

    申请号:CN200380100128.5

    申请日:2003-12-03

    CPC classification number: B24B37/30 B24B37/042

    Abstract: 转动半导体晶片(W)和抛光台(100)。抛光台(100)上具有一个抛光面。半导体晶片(W)挤压在位于以第一转速转动的抛光台(100)上的所述抛光面上,以抛光半导体晶片(W)。半导体晶片(W)在其挤压在所述抛光面上之后从所述抛光面上分离。在半导体晶片(W)从所述抛光面上分离之前,将抛光台(100)的转速降至低于所述第一转速的第二转速,以在半导体晶片(W)与抛光台(100)之间提供转速差。

    抛光装置及将基片从基片保持装置上取下来的方法

    公开(公告)号:CN101670547A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910179046.3

    申请日:2004-10-14

    CPC classification number: B24B37/345

    Abstract: 本发明涉及抛光装置,其包括:基片保持装置,其构成为在基片保持表面上保持基片;和基片传递装置,其构成为从所述基片保持装置接受基片,所述基片传递装置包括:基片放置装置,其具有上面放置基片的基片放置表面;尖端,其能够插入到在所述基片保持装置的所述基片保持表面与由所述基片保持装置保持的基片之间形成的间隙中从而将基片从所述基片保持装置上取下来。本发明还涉及将基片从基片保持装置上取下来的方法。

    抛光装置及将基片从基片保持装置上取下来的方法

    公开(公告)号:CN101670547B

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN200910179046.3

    申请日:2004-10-14

    CPC classification number: B24B37/345

    Abstract: 本发明涉及抛光装置,其包括:基片保持装置,其构成为在基片保持表面上保持基片;和基片传递装置,其构成为从所述基片保持装置接受基片,所述基片传递装置包括:基片放置装置,其具有上面放置基片的基片放置表面;尖端,其能够插入到在所述基片保持装置的所述基片保持表面与由所述基片保持装置保持的基片之间形成的间隙中从而将基片从所述基片保持装置上取下来。本发明还涉及将基片从基片保持装置上取下来的方法。

Patent Agency Ranking