公开(公告)号：CN101670547A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910179046.3

申请日：2004-10-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 鸟居弘臣 ,  叶山卓儿 ,  八岛哲也

IPC: B24B29/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: B24B37/345

Abstract: 本发明涉及抛光装置，其包括：基片保持装置，其构成为在基片保持表面上保持基片；和基片传递装置，其构成为从所述基片保持装置接受基片，所述基片传递装置包括：基片放置装置，其具有上面放置基片的基片放置表面；尖端，其能够插入到在所述基片保持装置的所述基片保持表面与由所述基片保持装置保持的基片之间形成的间隙中从而将基片从所述基片保持装置上取下来。本发明还涉及将基片从基片保持装置上取下来的方法。

公开(公告)号：CN101670547B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910179046.3

申请日：2004-10-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 鸟居弘臣 ,  叶山卓儿 ,  八岛哲也

IPC: H01L21/02 ,  B24B29/02

CPC classification number: B24B37/345

Abstract: 本发明涉及抛光装置，其包括：基片保持装置，其构成为在基片保持表面上保持基片；和基片传递装置，其构成为从所述基片保持装置接受基片，所述基片传递装置包括：基片放置装置，其具有上面放置基片的基片放置表面；尖端，其能够插入到在所述基片保持装置的所述基片保持表面与由所述基片保持装置保持的基片之间形成的间隙中从而将基片从所述基片保持装置上取下来。本发明还涉及将基片从基片保持装置上取下来的方法。

公开(公告)号：CN1708378A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102402.2

申请日：2003-11-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 叶山卓儿 ,  井上正文 ,  樱井邦彦

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B47/22 ,  B24B37/30 ,  B24B49/16 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明涉及一种抛光装置，所述抛光装置具有一个其上具有一抛光面(10)的抛光工作台(12)和一个使得一个工件(W)得以压靠于所述抛光面(10)上的顶环(20)。所述顶环(20)具有一个壳体(40)和一个可在所述壳体(20)中垂直移动以支撑所述工件(W)之外周缘的限位环(44)。所述抛光装置具有一个可使得所述顶环(20)垂直移动的移动机构，一个可连同所述顶环(20)垂直移动的支架(28)，一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架(28)之下移的挡块(32)以及一个用以检测所述挡块(32)和所述支架(28)之间距离的传感器(36)。所述抛光装置还包括一个基于来自所述传感器(36)之距离信号调节所述挡块(32)之所述垂直位置的控制总成(34)。

公开(公告)号：CN100563926C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200480030195.9

申请日：2004-10-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 鸟居弘臣 ,  叶山卓儿 ,  八岛哲也

IPC: B24B37/04

CPC classification number: B24B37/345

Abstract: 抛光装置具有顶环(1)和推动器(130)，其中顶环(1)构成为在基片保持表面上保持半导体晶片(W)，推动器(130)构成为将半导体晶片(W)传输给顶环(1)并且从顶环(1)接受半导体晶片(W)。推动器(130)包括推动台(133)和气缸(135)，其中推动台(133)具有其上面放置半导体晶片(W)的基片放置表面，而气缸(135)构成为竖直移动推动台(133)。推动器(130)还包括构成为向半导体晶片(W)喷射高压流体的高压流体孔(220)。

公开(公告)号：CN1867424A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030195.9

申请日：2004-10-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 鸟居弘臣 ,  叶山卓儿 ,  八岛哲也

IPC: B24B37/04

CPC classification number: B24B37/345

Abstract: 抛光装置具有顶环(1)和推动器(130)，其中顶环(1)构成为在基片保持表面上保持半导体晶片(W)，推动器(130)构成为将半导体晶片(W)传输给顶环(1)并且从顶环(1)接受半导体晶片(W)。推动器(130)包括推动台(133)和气缸(135)，其中推动台(133)具有其上面放置半导体晶片(W)的基片放置表面，而气缸(135)构成为竖直移动推动台(133)。推动器(130)还包括构成为向半导体晶片(W)喷射高压流体的高压流体孔(220)。