公开(公告)号：CN113544815B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202080019602.5

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  吉水康人 ,  久下宣仁 ,  嘉义唯 ,  小幡进 ,  松尾圭一郎 ,  佐野光雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H10B43/27 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  C30B29/06 ,  C30B29/20 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的半导体晶圆具备表面，所述表面具有至少一个包含内壁面的槽。槽的内壁面露出。

公开(公告)号：CN113544815A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019602.5

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  吉水康人 ,  久下宣仁 ,  嘉义唯 ,  小幡进 ,  松尾圭一郎 ,  佐野光雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  C30B29/06 ,  C30B29/20 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的半导体晶圆具备表面，所述表面具有至少一个包含内壁面的槽。槽的内壁面露出。

公开(公告)号：CN114188392A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110191771.3

申请日：2021-02-19

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  小出辰彦 ,  中岛宽记 ,  矢内有美 ,  杉田智彦 ,  北川白马 ,  守田峻海

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/306 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 实施方式的半导体衬底提供一种表面积更大的半导体衬底。半导体衬底具备表面，所述表面具有包含内底面及内壁面的沟槽。内壁面具有凹部，所述凹部具有从沿着所述内壁面的表面的方向到所述沟槽的宽度方向的深度。半导体衬底在内壁面露出。

公开(公告)号：CN111312612B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201910599753.1

申请日：2019-07-04

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 吉水康人 ,  伊藤冬马 ,  北川白马 ,  山本洋平 ,  大口寿史 ,  山田裕司

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。根据一实施方式，基板处理装置具备对包含金属离子且显示酸性的第1液体进行稀释的稀释部。所述装置同时具备使通过所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化的pH值变化部。所述装置还具备使用通过所述稀释部稀释，并通过所述pH值变化部使pH值变化后的所述第1液体，来对基板进行处理的基板处理部。

公开(公告)号：CN110875172B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201811553479.6

申请日：2018-12-19

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 吉水康人 ,  伊藤冬马 ,  矢内有美

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明的实施方式提供一种在半导体基板的湿式处理步骤中能够抑制半导体基板干燥时所产生的图案的塑性变形的基板处理方法及半导体装置的制造方法。根据实施方式，基板处理方法将附着在设置着图案的基板的图案表面的洗净液替换成第1溶剂(13)，将第1溶剂(13)替换成在第2溶剂中添加包含第1物质的溶质而成的溶液(14)，而在图案表面形成包含第1物质的覆膜(15)，将溶液(14)替换成第3溶剂，将第3溶剂干燥去除，使覆膜(15)升华或挥发。

公开(公告)号：CN115775749A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210097948.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  饭森弘恭 ,  村木信介 ,  明星裕也 ,  圆山洋介 ,  中冈聡

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 实施方式提供一种能够对衬底的端部上所设置的膜恰当地进行处理的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备对衬底的端部上所设置的膜进行处理的处理部。所述装置还具备检测所述衬底的端部形状相关的信息的检测部。所述装置还具备控制部，所述控制部基于所述衬底的端部的形状相关的所述信息，控制利用所述处理部对所述膜实施的处理。

公开(公告)号：CN108630575B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201810186810.9

申请日：2018-03-07

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 吉水康人 ,  明星裕也 ,  伊藤冬马 ,  北川白马

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明的实施方式提供可提高金属膜的蚀刻速度的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置具备：含贵金属部件，具有包含贵金属的凹凸形状部分或多孔质形状部分；及药液供给部件，供给药液；且一面使凹凸形状部分的凸部或多孔质形状部分接触于特定金属表面，一面将药液供给至金属表面而将金属蚀刻除去。

公开(公告)号：CN214625048U

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202120391367.6

申请日：2021-02-19

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  小出辰彦 ,  中岛宽记 ,  矢内有美 ,  杉田智彦 ,  北川白马 ,  守田峻海

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/306

Abstract: 实施方式的半导体衬底提供一种表面积更大的半导体衬底。半导体衬底具备表面，所述表面具有包含内底面及内壁面的沟槽。内壁面具有凹部，所述凹部具有从沿着所述内壁面的表面的方向到所述沟槽的宽度方向的深度。半导体衬底在内壁面露出。另外，实施方式的半导体衬底的所述内壁面具有多个所述凹部，多个所述凹部沿着所述沟槽的深度方向或所述沟槽的内周隔开间隔配置。另外，实施方式的半导体衬底还具备半导体层，所述半导体层设置在所述表面的一部分上，沿着所述内壁面延伸。另外，实施方式的半导体衬底还具备第2表面，所述第2表面设置在所述表面的相反侧，具有至少一个包含第2内壁面的第2沟槽。另外，实施方式的半导体衬底是硅晶圆、碳化硅晶圆、玻璃晶圆、石英晶圆、蓝宝石晶圆或化合物半导体晶圆。