公开(公告)号：CN112310090A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010093241.0

申请日：2020-02-14

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 满野阳介 ,  滨田龙文 ,  五月女真一 ,  九鬼知博 ,  明星裕也

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 实施方式提供一种将存储柱内的半导体层良好地连接的半导体存储装置及其制造方法。一实施方式的半导体存储装置具备：积层体，包含沿着第1方向积层的多个第1导电体层、及配置在所述多个第1导电体层的上方且沿着所述第1方向积层的多个第2导电体层；柱，在所述积层体内沿着所述第1方向延伸，且包含半导体层；以及电荷储存层，配置在所述多个第1导电体层与所述半导体层之间、及所述多个第2导电体层与所述半导体层之间。所述半导体层包含：第1部分，在所述多个第1导电体层中的最上层的第1导电体层与所述多个第2导电体层中的最下层的第2导电体层之间，沿着所述第1方向延伸；及第2部分，配置在所述半导体层的所述第1部分的上方，且直径随着朝向上方而减少。

公开(公告)号：CN112310090B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202010093241.0

申请日：2020-02-14

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 满野阳介 ,  滨田龙文 ,  五月女真一 ,  九鬼知博 ,  明星裕也

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/20 ,  H10B43/30 ,  H10B43/20

公开(公告)号：CN115775749A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210097948.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  饭森弘恭 ,  村木信介 ,  明星裕也 ,  圆山洋介 ,  中冈聡

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 实施方式提供一种能够对衬底的端部上所设置的膜恰当地进行处理的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备对衬底的端部上所设置的膜进行处理的处理部。所述装置还具备检测所述衬底的端部形状相关的信息的检测部。所述装置还具备控制部，所述控制部基于所述衬底的端部的形状相关的所述信息，控制利用所述处理部对所述膜实施的处理。

公开(公告)号：CN108630575B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201810186810.9

申请日：2018-03-07

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 吉水康人 ,  明星裕也 ,  伊藤冬马 ,  北川白马

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明的实施方式提供可提高金属膜的蚀刻速度的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置具备：含贵金属部件，具有包含贵金属的凹凸形状部分或多孔质形状部分；及药液供给部件，供给药液；且一面使凹凸形状部分的凸部或多孔质形状部分接触于特定金属表面，一面将药液供给至金属表面而将金属蚀刻除去。