公开(公告)号：CN111627829B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910675941.8

申请日：2019-07-25

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 中冈聪 ,  佐藤胜广 ,  芦立浩明 ,  村木信介 ,  桥本有司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明的实施方式涉及基板处理装置及半导体装置的制造方法。实施方式的基板处理装置具备处理槽、容器、测量器和控制部。处理槽贮存对基板进行处理的药液。容器贮存将从处理槽排出的气体进行气液分离而得到的包含氨的液体。测量器经时地测量液体中包含的氨量。控制部基于氨量，控制基板的处理。

公开(公告)号：CN113410158B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202010806940.5

申请日：2020-08-12

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 村木信介 ,  中冈聪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够缩短药液浓度调整时间的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体制造装置具备储罐、加热部、气泡供给部、传感器及控制部。储罐储存处理衬底的药液。加热部加热药液。气泡供给部向储罐内的药液供给气泡。传感器检测药液的浓度、药液的水浓度、药液的比重、及从储罐排出的气体的水蒸气浓度中至少一者。控制部基于传感器的检测结果，控制气泡供给部的气泡供给。

公开(公告)号：CN115775749A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210097948.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  饭森弘恭 ,  村木信介 ,  明星裕也 ,  圆山洋介 ,  中冈聡

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 实施方式提供一种能够对衬底的端部上所设置的膜恰当地进行处理的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备对衬底的端部上所设置的膜进行处理的处理部。所述装置还具备检测所述衬底的端部形状相关的信息的检测部。所述装置还具备控制部，所述控制部基于所述衬底的端部的形状相关的所述信息，控制利用所述处理部对所述膜实施的处理。

公开(公告)号：CN113410158A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202010806940.5

申请日：2020-08-12

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 村木信介 ,  中冈聪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够缩短药液浓度调整时间的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体制造装置具备储罐、加热部、气泡供给部、传感器及控制部。储罐储存处理衬底的药液。加热部加热药液。气泡供给部向储罐内的药液供给气泡。传感器检测药液的浓度、药液的水浓度、药液的比重、及从储罐排出的气体的水蒸气浓度中至少一者。控制部基于传感器的检测结果，控制气泡供给部的气泡供给。