公开(公告)号：CN114121713A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110163164.6

申请日：2021-02-05

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 中冈聡 ,  桥本有司 ,  藤田博

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本申请案涉及一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法。实施方式提供一种可容易提高衬底面内的药液处理的均匀性的衬底处理装置。一实施方式的衬底处理装置具备：处理槽，存放处理多块衬底的药液；配管，具有将药液或气泡喷出到处理槽内的喷出口；多根杆状体，在处理槽内支撑多块衬底；及转换机构，设置在多根杆状体或处理槽，将由从配管喷出的药液或气泡施加到各衬底的振动转换成以衬底的中心为旋转轴的单向旋转。

公开(公告)号：CN111696995B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201910684441.0

申请日：2019-07-26

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 坂田晃一 ,  铃木和贵 ,  芦立浩明 ,  佐藤胜广 ,  中冈聡

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/20

Abstract: 实施方式提供一种能够抑制存储区面积增大或半导体存储装置大型化的半导体存储装置及其制造方法。一实施方式的半导体存储装置具有：第1积层体，包含在第1方向上积层，且在第2方向及第3方向上延伸的多个第1电极层；第2积层体，包含在第1积层体的第1方向上积层，且在第2方向及第3方向上延伸的多个第2电极层；半导体膜，在第1积层体内及第2积层体内在第1方向上延伸；电荷储存层，分别设置在多个第1电极层与半导体膜之间、及多个第2电极层与半导体膜之间；及分离构造，在第1方向及第2方向上延伸，且在第3方向上将第1积层体及第2积层体分离。分离构造具有：第1分离膜，在第1方向上延伸，在第3方向上将第1积层体分离；第2分离膜，第3方向上的位置与第1分离膜不同，且在第1方向上延伸，在第3方向上将第2积层体分离；及膜，设置在第1分离膜上，包含与第1方向上延伸的第1分离膜相同的材料。

公开(公告)号：CN115775749A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210097948.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  饭森弘恭 ,  村木信介 ,  明星裕也 ,  圆山洋介 ,  中冈聡

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 实施方式提供一种能够对衬底的端部上所设置的膜恰当地进行处理的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备对衬底的端部上所设置的膜进行处理的处理部。所述装置还具备检测所述衬底的端部形状相关的信息的检测部。所述装置还具备控制部，所述控制部基于所述衬底的端部的形状相关的所述信息，控制利用所述处理部对所述膜实施的处理。