公开(公告)号：CN114188392A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110191771.3

申请日：2021-02-19

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  小出辰彦 ,  中岛宽记 ,  矢内有美 ,  杉田智彦 ,  北川白马 ,  守田峻海

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/306 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 实施方式的半导体衬底提供一种表面积更大的半导体衬底。半导体衬底具备表面，所述表面具有包含内底面及内壁面的沟槽。内壁面具有凹部，所述凹部具有从沿着所述内壁面的表面的方向到所述沟槽的宽度方向的深度。半导体衬底在内壁面露出。

公开(公告)号：CN214625048U

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202120391367.6

申请日：2021-02-19

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  小出辰彦 ,  中岛宽记 ,  矢内有美 ,  杉田智彦 ,  北川白马 ,  守田峻海

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/306

Abstract: 实施方式的半导体衬底提供一种表面积更大的半导体衬底。半导体衬底具备表面，所述表面具有包含内底面及内壁面的沟槽。内壁面具有凹部，所述凹部具有从沿着所述内壁面的表面的方向到所述沟槽的宽度方向的深度。半导体衬底在内壁面露出。另外，实施方式的半导体衬底的所述内壁面具有多个所述凹部，多个所述凹部沿着所述沟槽的深度方向或所述沟槽的内周隔开间隔配置。另外，实施方式的半导体衬底还具备半导体层，所述半导体层设置在所述表面的一部分上，沿着所述内壁面延伸。另外，实施方式的半导体衬底还具备第2表面，所述第2表面设置在所述表面的相反侧，具有至少一个包含第2内壁面的第2沟槽。另外，实施方式的半导体衬底是硅晶圆、碳化硅晶圆、玻璃晶圆、石英晶圆、蓝宝石晶圆或化合物半导体晶圆。