公开(公告)号：CN114171527A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110256127.X

申请日：2021-03-09

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 守田峻海 ,  大口寿史 ,  泽敬一 ,  山下博幸 ,  柳瀬俊晃 ,  今村翼

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明实施方式提供一种能够提高通道半导体层的性能的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备衬底及多个电极层，所述多个电极层在与所述衬底的表面垂直的第1方向上相互隔开设置。进而，所述装置具备依次设置在所述电极层的侧面上的第1绝缘膜、电荷累积层、第2绝缘膜、包含硅的第1半导体区域、及包含硅与碳的第2半导体区域，所述第1半导体区域与所述第2绝缘膜的界面包含氟。

公开(公告)号：CN111383947B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910486814.3

申请日：2019-06-05

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 吉水康人 ,  北川白马 ,  守田峻海

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/68 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。根据一个实施方式，衬底处理装置具备：台，载置衬底，将衬底连接于阳极；对向电极，以与台对向的方式配置，具有多个孔，且与阴极连接；及保持部，以介隔对向电极而与台对向的方式配置，一面保持对向电极一面向对向电极供给药液。

公开(公告)号：CN114188392A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110191771.3

申请日：2021-02-19

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  小出辰彦 ,  中岛宽记 ,  矢内有美 ,  杉田智彦 ,  北川白马 ,  守田峻海

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/306 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 实施方式的半导体衬底提供一种表面积更大的半导体衬底。半导体衬底具备表面，所述表面具有包含内底面及内壁面的沟槽。内壁面具有凹部，所述凹部具有从沿着所述内壁面的表面的方向到所述沟槽的宽度方向的深度。半导体衬底在内壁面露出。

公开(公告)号：CN214625048U

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202120391367.6

申请日：2021-02-19

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 伊藤冬马 ,  小出辰彦 ,  中岛宽记 ,  矢内有美 ,  杉田智彦 ,  北川白马 ,  守田峻海

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/306

Abstract: 实施方式的半导体衬底提供一种表面积更大的半导体衬底。半导体衬底具备表面，所述表面具有包含内底面及内壁面的沟槽。内壁面具有凹部，所述凹部具有从沿着所述内壁面的表面的方向到所述沟槽的宽度方向的深度。半导体衬底在内壁面露出。另外，实施方式的半导体衬底的所述内壁面具有多个所述凹部，多个所述凹部沿着所述沟槽的深度方向或所述沟槽的内周隔开间隔配置。另外，实施方式的半导体衬底还具备半导体层，所述半导体层设置在所述表面的一部分上，沿着所述内壁面延伸。另外，实施方式的半导体衬底还具备第2表面，所述第2表面设置在所述表面的相反侧，具有至少一个包含第2内壁面的第2沟槽。另外，实施方式的半导体衬底是硅晶圆、碳化硅晶圆、玻璃晶圆、石英晶圆、蓝宝石晶圆或化合物半导体晶圆。