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公开(公告)号：CN104465817A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410478173.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L27/14601 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/03044 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/06 , Y02E10/547
Abstract: 本公开提供了含有半导体和分散于其中的多个含金属微小结构的光电转换层。所述微小结构是包含金属材料(α)的微小结构(A)或否则包含金属材料(α)和材料(β)的微小结构(B)，所述材料(β)选自由不同于所述金属材料(α)和所述半导体中的任一个的物质的氧化物、氮化物和氧氮化物组成的组。在所述微小结构(B)中，所述材料(β)在所述金属材料(α)的表面上。所述微小结构中的每一个都具有基于当从特定方向观察时的投影面积的1nm到10nm且包括端值的等圆直径。在该方向上，所述微小结构具有最小总投影面积。相邻两个所述微小结构之间的最近距离是3nm到50nm且包括端值的。本公开还提供了所述光电转换层于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用。
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公开(公告)号：CN104517616A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410033817.9
申请日：2014-01-24
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的课题是形成良好的微细图案。因而提供了一种图案形成方法，包含以下工序：使用表面处理高分子材料在基板上形成表面处理高分子膜的工序；将含有该表面处理高分子材料的单体或低聚物的溶液施用在该表面处理高分子膜表面上的工序；在表面处理高分子膜上，涂布含有具有至少2种聚合物链的嵌段共聚物的涂布液，而形成自组装层的工序；通过退火，由此在自组装层内形成微观相分离结构的工序；以及选择性地将微观相分离结构中的1种聚合物层除去，由残存的聚合物层形成凸图案的工序。
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公开(公告)号：CN104424966A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410037108.8
申请日：2014-01-26
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及图案形成方法、磁记录介质的制造方法、以及磁记录介质。使用自组装膜而形成密度高的微细图案。根据实施方式，反复进行2次或3次下述工序，与形成了1层的二嵌段共聚物层的情况相比提高凸图案的密度，所述工序是形成二嵌段共聚物层，相分离为海岛相，然后对海状相进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN104681045A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410072017.8
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/732 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供介质噪音小且记录再生特性良好的垂直磁记录介质。一种垂直磁记录介质，其中，包含：非磁性颗粒基底层，其形成于基板上，包含含第1金属的多个金属微粒以及设置于多个金属微粒周围的晶粒边界层，各金属微粒具有从晶粒边界层突出的凸部与被埋没于晶粒边界层中的底部，凸部表面相对于晶粒边界层表面的接触角为45°至85°；非磁性中间层，其分别形成于凸部表面；和磁记录层，夹着非磁性中间层在非磁性颗粒基底层上具有基于含凸部的图案而形成的凸状图案。
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公开(公告)号：CN104424967A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410344999.1
申请日：2014-07-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法、磁记录介质的制造方法及微粒子分散液，所述图案形成方法能够形成面内均匀性良好的周期性图案。根据实施方式，提供一种图案形成方法，所述方法包括以下工序：在基板或掩模层上涂布微粒子涂布液从而在基板或掩模层上形成微粒子层的工序，所述微粒子涂布液含有微粒子、粘度调节剂和溶剂，所述微粒子具有表面极性接近的保护基且至少在表面具有选自Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Y、Zr、Sn、Mo、Ta、W、Au、Ag、Pd、Cu、Pt、及它们的氧化物中的材料，所述溶剂用于调节粘度调节剂与具有保护基的微粒子的混合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104424965A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410035861.3
申请日：2014-01-24
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的课题是得到一种图案尺寸精度良好的图案形成方法。作为解决手段，提供一种图案形成方法，其包括：在基板上形成被加工层的工序；向包含贵金属微粒子和第1溶剂的第1分散液，添加包含高分子材料和第2溶剂的第2分散液，制作分散有被高分子材料被覆了的微粒子的贵金属微粒子层涂布液的工序，所述高分子材料包含在末端具有贱金属的高分子链；使用贵金属微粒子层涂布液，在被加工层上使被高分子材料被覆了的贵金属微粒子排列的工序；和向被加工层转印被高分子材料被覆了的贵金属微粒子的凹凸图案的工序。
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公开(公告)号：CN104424964A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410033231.2
申请日：2014-01-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 在磁记录介质形成面内均匀性良好的周期性图案。根据实施方式，在磁记录层上涂布包含微粒子的微粒子涂布液，形成单层的微粒子层，所述微粒子被保护层被覆，且至少在表面具有选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Y、Zr、Sn、Mo、Ta、W及其氧化物中的材料，所述保护层包含第1添加剂和第2添加剂的混合物，所述第1添加剂具有用于提高对磁记录层的润湿性的直链结构以及羧基等，所述第2添加剂具有羧基等以及聚合性官能团，应用热能或者光能，使聚合性官能团反应而使保护层固化，并且固着于磁记录层上，形成周期性图案。
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公开(公告)号：CN104732987A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410165545.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/8408 , C25D1/10 , G03F1/00 , G03F7/00 , G11B5/855 , H01L21/263 , H01L21/2633 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的目的在于得到图案尺寸精度良好的图案形成方法。根据实施方式，可得到一种图案形成方法，其中，包含：在基板上形成被加工层的工序；将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上以形成金属微粒层的工序；通过第1蚀刻降低金属微粒周围的保护基量的工序；暴露于包含C与F的气体中并使气体吸附于金属微粒周围而形成保护层的工序；以及通过第2蚀刻将凸图案向该被加工层复制的工序。
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公开(公告)号：CN104700850A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410742467.3
申请日：2014-12-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制磁性粒子的粒径分散，具有良好的记录再生特性，能够高密度记录的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层之上形成的以与膜面垂直的方向为易磁化轴的磁记录层。基底层具有间隔1nm～20nm的距离而排列的多个凸部。磁记录层包含以顶端从基底层的凸部表面开始扩大的方式分别形成的多个磁粒子，至少凸部侧的磁粒子被分离。
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公开(公告)号：CN104658556A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410072116.6
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855 , G11B5/7325 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及磁记录介质、其制造方法、磁记录再现装置。1个实施方式的目的在于提供：例如通过对低输出的激光进行了变换所得的近场光能够有效地对磁记录介质进行加热的磁记录介质、其制造方法、磁记录再现装置。根据1个实施方式，是在热辅助磁记录方式中使用的磁记录介质，在基板上具有磁记录层和分散配置有金属微粒的金属微粒层。金属微粒层在基板的面方向上，相对于第1区域中的金属微粒的含有率而言，比第1区域靠外周侧的第2区域中的金属微粒的含有率较高。
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