公开(公告)号：CN105280200A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410720604.3

申请日：2014-12-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部彰 ,  木村香里 ,  岩崎刚之

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/84 ,  G11B5/7305 ,  G11B5/733 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明的实施方式提供能够得到基板与粒子之间的良好密合性的磁记录介质的制造方法。实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括：在基板上形成熔敷层，在熔敷层上形成含有硅的保持层，使用含有能够与熔敷层熔敷的金属的粒子在保持层上形成单粒子层，使用含有氢氟酸和过氧化氢的蚀刻溶液对保持层中的二氧化硅进行蚀刻，将粒子埋入保持层内直到与熔敷层接触，通过加热使粒子与熔敷层熔敷，以及在单粒子层上形成磁记录层。

公开(公告)号：CN105006238A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201410454113.9

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村香里 ,  藤本明 ,  渡部彰

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/855

Abstract: 本发明的实施方式提供能够形成面内均匀性良好的周期性图案的图案形成方法和磁记录介质的制造方法。根据实施方式，能够提供一种图案形成方法，该方法包括：在基板上，向具有表面极性与该基板相近的第1保护基、且至少在表面具有选自Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Y、Zr、Sn、Mo、Ta、W、Au、Ag、Pd、Cu、Pt、及其氧化物中的材料的微粒添加第2保护基和第2溶剂，调制第2分散液，并用该第2保护基修饰具有第1保护基的微粒的工序；向包含具有第1保护基和第2保护基的微粒的分散液添加粘度调整剂，调制微粒涂布液的工序；以及，涂布微粒涂布液，在基板上形成微粒层的工序。

公开(公告)号：CN105321537A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410738831.9

申请日：2014-12-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部彰 ,  木村香里 ,  鬼冢刚

IPC: G11B5/851

CPC classification number: G11B5/746 ,  G11B5/733 ,  G11B5/842 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明的实施方式提供一种粒子层的涂布方法，所述方法可以得到间距分散良好的粒子排列。根据实施方式，得到一种粒子层的涂布方法，所述方法包括以下工序：使粒子分散于溶剂中从而制作成粒子涂布液，所述粒子在表面具有使用第一高分子材料形成的第一被覆层；以及在基板上涂布粒子涂布液从而形成单粒子层，所述基板具有使用与第一高分子材料具有相同骨架的第二高分子材料形成的第二被覆层。

公开(公告)号：CN104681045A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410072017.8

申请日：2014-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部彰 ,  岩崎刚之 ,  泷泽和孝 ,  木村香里

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/732 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供介质噪音小且记录再生特性良好的垂直磁记录介质。一种垂直磁记录介质，其中，包含：非磁性颗粒基底层，其形成于基板上，包含含第1金属的多个金属微粒以及设置于多个金属微粒周围的晶粒边界层，各金属微粒具有从晶粒边界层突出的凸部与被埋没于晶粒边界层中的底部，凸部表面相对于晶粒边界层表面的接触角为45°至85°；非磁性中间层，其分别形成于凸部表面；和磁记录层，夹着非磁性中间层在非磁性颗粒基底层上具有基于含凸部的图案而形成的凸状图案。

公开(公告)号：CN105374373A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410818260.X

申请日：2014-12-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部彰 ,  及川壮一

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/733 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/855 ,  G11B5/732

Abstract: 本发明得到具有设置有间距分散良好的凸图案的磁记录层的磁记录介质及其制造方法以及磁记录再现装置。实施方式涉及的磁记录介质包含：在基板上依次形成的、具有包含多个凹部的凹部图案的氧化硅基底层、具有与凹部图案对应的包含多个孔的第1孔图案的非磁性基底层、和形成于非磁性基底层上并具有包含与该第1孔图案连通的多个孔的第2孔图案的磁记录层。

公开(公告)号：CN104517616A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410033817.9

申请日：2014-01-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部彰 ,  泷泽和孝 ,  木村香里

IPC: G11B5/84 ,  G03F7/00

CPC classification number: G11B5/743 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明的课题是形成良好的微细图案。因而提供了一种图案形成方法，包含以下工序：使用表面处理高分子材料在基板上形成表面处理高分子膜的工序；将含有该表面处理高分子材料的单体或低聚物的溶液施用在该表面处理高分子膜表面上的工序；在表面处理高分子膜上，涂布含有具有至少2种聚合物链的嵌段共聚物的涂布液，而形成自组装层的工序；通过退火，由此在自组装层内形成微观相分离结构的工序；以及选择性地将微观相分离结构中的1种聚合物层除去，由残存的聚合物层形成凸图案的工序。

公开(公告)号：CN104424966A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410037108.8

申请日：2014-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部彰 ,  菅原克也 ,  泷泽和孝 ,  木村香里

IPC: G11B5/84 ,  G03F7/00

CPC classification number: G11B5/84 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明涉及图案形成方法、磁记录介质的制造方法、以及磁记录介质。使用自组装膜而形成密度高的微细图案。根据实施方式，反复进行2次或3次下述工序，与形成了1层的二嵌段共聚物层的情况相比提高凸图案的密度，所述工序是形成二嵌段共聚物层，相分离为海岛相，然后对海状相进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN106140576A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510194845.3

申请日：2015-04-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部彰 ,  鬼冢刚

IPC: B05C13/02 ,  B05C3/10

CPC classification number: B05D1/18 ,  B05C3/02 ,  B05C3/09 ,  B05C13/02 ,  B05D2258/00 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明涉及用浸涂法在基板上形成膜厚分布均匀的涂膜的浸涂用保持夹具及使用其的浸涂系统。实施方式所涉及的浸涂用保持夹具具有保持部件，在至少一部分具有多孔质体，能插入基板中央区域的第1贯通孔。

公开(公告)号：CN104795079A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410178875.0

申请日：2014-04-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩崎刚之 ,  渡部彰

IPC: G11B5/84

CPC classification number: C30B23/08 ,  C23C14/185 ,  G11B5/7325 ,  H01F10/123

Abstract: 本发明得到具有结晶取向性及低粒径分散性良好的磁性粒子且记录再现特性优良的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有在基板上依次形成的、软磁性基底层、以具有面心立方结构的Ni为主成分得配向控制层、具有15％以下的间距分散的多个金属氧化物柱及包括在由多个金属氧化物柱划分的区域内生长的具有密排六方结构或面心立方结构的结晶微粒的粒径控制层以及垂直磁记录层。