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公开(公告)号：CN101114630A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710138426.3
申请日：2007-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/10175 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/157 , H01L2924/19107 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件，包括第1布线基板1，该第1布线基板1具有：将焊接凸点(24)(凸起电极)形成于电极焊点上的IC芯片(半导体元件)(2、3、4)；以及与IC芯片(2、3、4)的各焊接凸点(24)所连接的连接端子(7)、用于与外部设备问连接的外部连接端子(8)、及设置在形成于基板表面的沟槽部内并具有与所述连接端子(7)等连接的导体布线(9)。即使在按照狭窄的间距配置导体布线9时，由于沟部的存在仍能增大截面积，因此能降低布线电阻。
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公开(公告)号：CN1463037A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03138122.7
申请日：2003-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/10 , H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/5227 , H01L2224/0401 , H01L2224/05555 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明是在半导体晶片的绝缘性树脂膜上设置了感应元件的WL－CSP型半导体装置中，介于感应元件的绝缘性树脂膜降低泄漏损失。其解决方法是采用具有覆盖半导体晶片(11)的主面的同时，在各缓冲电极(21)上设置了具有复数个接触孔(13)的第1绝缘性树脂膜(12)；该绝缘性树脂膜(12)中形成在感应元件形成区域12a上的，其两端子介于接触孔(13)的各自与缓冲电极(21)连接的感应元件(17)。第1绝缘性树脂膜(12)上的感应元件形成区域(12a)的膜厚，制成大于接触孔(13)的形成部分的膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1242467C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN03138122.7
申请日：2003-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/10 , H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/5227 , H01L2224/0401 , H01L2224/05555 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明是在半导体集成电路部分的绝缘性树脂膜上设置了感应元件的WL-CSP型半导体装置中，介于感应元件的绝缘性树脂膜降低泄漏损失。其解决方法是采用具有覆盖半导体晶片(11)的主面的同时，在各缓冲电极(21)上设置了具有复数个接触孔(13)的第1绝缘性树脂膜(12)；该绝缘性树脂膜(12)中形成在感应元件形成区域12a上的，其两端子介于接触孔(13)的各自与缓冲电极(21)连接的感应元件(17)。第1绝缘性树脂膜(12)上的感应元件形成区域(12a)的膜厚，制成大于接触孔(13)的形成部分的膜厚。
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公开(公告)号：CN102272903A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154209.0
申请日：2009-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三木启司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/16 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2221/68327 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括电极焊盘(37)和突起部(51)，该电极焊盘(37)形成在基板(11)上的芯片区域(12)上，该突起部(51)连续形成在在芯片区域(12)内且比电极焊盘(37)更靠外侧的区域上，以包围芯片区域(12)的内侧。突起部(51)形成为比电极焊盘(37)高。
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公开(公告)号：CN102214618A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110087491.4
申请日：2011-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三木启司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/78 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L2221/6834 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2224/48824 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在基板(11)上的芯片区域(12)的周边部分上，连续包围芯片区域(12)的内侧部分而形成有机保护膜(23’)。另外，钝化膜(22)和有机保护膜(23)在罩层(47)上形成闭环状开口部。
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公开(公告)号：CN1242471C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02155954.6
申请日：2002-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2924/0001 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/013
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，使与半导体元件(11)的电极(12)电连接的金属布线(14)中的外部电极部(14a)的厚度，比金属布线(14)的非电极部的厚度要大。从而在对与半导体元件的电极电连接的金属布线进行重新布线的半导体装置中，提高了金属布线、与装在其外部电极部上的球形电极之间的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN1427472A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02155954.6
申请日：2002-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2924/0001 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/013
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，使与半导体元件(11)的电极(12)电连接的金属布线(14)中的外部电极部(14a)的厚度，比金属布线(14)的非电极部的厚度要大。从而在对与半导体元件的电极电连接的金属布线进行重新布线的半导体装置中，提高了金属布线、与装在其外部电极部上的球形电极之间的连接可靠性。
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