公开(公告)号：CN103342986B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201310241746.7

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。

公开(公告)号：CN104170065B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201380013722.4

申请日：2013-03-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 三岛公二 ,  深泽正人 ,  西山雅也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B81C1/00 ,  C09G1/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898

Abstract: 本发明涉及一种研磨方法，其具有以下工序：准备基板的工序，该基板具有(1)作为阻止层的氮化硅、和位于比该阻止层更靠近被研磨面侧位置的至少一部分(2)布线金属及至少一部分(3)绝缘材料；研磨工序，供给化学机械研磨液，对上述被研磨面侧的(2)布线金属及(3)绝缘材料进行研磨；以及停止研磨的工序，在(1)氮化硅露出且被完全除去之前停止研磨，其中，上述化学机械研磨液包含(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、(B)磨粒、(C)酸、(D)氧化剂及(E)液状介质，(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，(A)成分的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且该化学机械研磨液的pH值为5.0以下。由此，能够以高研磨速度除去金属和层间绝缘膜，并且能够以高选择比对层间绝缘膜和阻止层进行研磨，从而制造尺寸精度高的半导体设备。

公开(公告)号：CN101689494B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880023332.4

申请日：2008-07-04

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中孝明 ,  深泽正人 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  筱田隆

IPC: H01L21/321 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法，其特征在于，该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。

公开(公告)号：CN102352187B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201110208059.6

申请日：2008-07-04

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中孝明 ,  深泽正人 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  筱田隆

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液包含磨粒、由甲基丙烯酸系聚合物构成的水溶性聚合物和水，其能够维持对层间绝缘膜的良好的研磨速度，同时抑制侵蚀和裂缝的发生，使得被研磨面的平坦性高。

公开(公告)号：CN102585765B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201110430594.6

申请日：2005-07-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  仓田靖 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明为CMP研磨剂以及衬底的研磨方法。本发明的CMP研磨剂含氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水而成，水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物及其盐中至少一种作为聚合引发剂，使含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中至少一种的单体自由基聚合，在末端导入了阳离子性偶氮化物形成的聚合物，阳离子性偶氮化合物及其盐为选自2，2’-偶氮双[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(-2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸盐水合物、2，2’-偶氮双[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双{2-[1-(2-羟乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-脒基丙烷]盐酸盐和2，2’-偶氮双(2-甲基丙酰胺肟)中的至少一种。

公开(公告)号：CN107949615A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680051930.7

申请日：2016-06-13

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 阿久津利明 ,  南久贵 ,  岩野友洋 ,  山下哲朗 ,  青木雅子 ,  深泽正人

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本申请的研磨液具有液态介质、磨粒和聚合物，所述聚合物具有官能团直接键合的第1分子链和从该第1分子链分支而成的第2分子链，所述官能团是选自由羧基、羧酸盐基团、羟基、磺基以及磺酸盐基团所组成的群中的至少一种。

公开(公告)号：CN103333661B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310241712.8

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。

公开(公告)号：CN101560373B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200910203503.8

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法。本发明的研磨剂为用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，作为所述研磨抑制剂，优选使用：炔系二醇的氧化乙烯加成物、具有炔键的水溶性有机化合物、烷氧基化直链脂肪醇中的任一种，或者聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明的研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。

公开(公告)号：CN104170065A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380013722.4

申请日：2013-03-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 三岛公二 ,  深泽正人 ,  西山雅也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B81C1/00 ,  C09G1/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898

Abstract: 本发明涉及一种研磨方法，其具有以下工序：准备基板的工序，该基板具有(1)作为阻止层的氮化硅、和位于比该阻止层更靠近被研磨面侧位置的至少一部分(2)布线金属及至少一部分(3)绝缘材料；研磨工序，供给化学机械研磨液，对上述被研磨面侧的(2)布线金属及(3)绝缘材料进行研磨；以及停止研磨的工序，在(1)氮化硅露出且被完全除去之前停止研磨，其中，上述化学机械研磨液包含(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、(B)磨粒、(C)酸、(D)氧化剂及(E)液状介质，(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，(A)成分的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且该化学机械研磨液的pH值为5.0以下。由此，能够以高研磨速度除去金属和层间绝缘膜，并且能够以高选择比对层间绝缘膜和阻止层进行研磨，从而制造尺寸精度高的半导体设备。

公开(公告)号：CN102965025B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201210434219.3

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法。本发明的氧化硅用研磨剂为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，所述多晶硅研磨抑制剂包括从聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物选出的聚乙烯吡咯烷酮类。