公开(公告)号：CN102585765B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201110430594.6

申请日：2005-07-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  仓田靖 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明为CMP研磨剂以及衬底的研磨方法。本发明的CMP研磨剂含氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水而成，水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物及其盐中至少一种作为聚合引发剂，使含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中至少一种的单体自由基聚合，在末端导入了阳离子性偶氮化物形成的聚合物，阳离子性偶氮化合物及其盐为选自2，2’-偶氮双[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(-2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸盐水合物、2，2’-偶氮双[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双{2-[1-(2-羟乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-脒基丙烷]盐酸盐和2，2’-偶氮双(2-甲基丙酰胺肟)中的至少一种。

公开(公告)号：CN102017091B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN200980114267.0

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明涉及含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂的研磨剂，该添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。本发明提供一种在使绝缘膜平坦化的CMP技术中可以高速且低研磨损伤地研磨绝缘膜、且氧化硅膜与停止膜的研磨速度比高的研磨剂。而且提供一种保管该研磨剂时的研磨剂组件及使用有该研磨剂的基板研磨方法。

公开(公告)号：CN107199502A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710567490.7

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种研磨剂、研磨剂组件及使用该研磨剂的基板研磨方法。所述研磨剂含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂的研磨剂，该添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。

公开(公告)号：CN104178088B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410406599.9

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: H01L21/3105 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法。所述研磨剂含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂，所述添加剂含有选自阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一种，所述阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类选自以下的(1)～(3)组成的组：(1)葡糖胺、半乳糖胺等以及它们的衍生物组成的组中的具有氨基糖的多糖类；(2)重均分子量100以上的乙抱亚胺聚合物或其衍生物；(3)含有选自由通式(Ⅰ)～(Ⅳ)组成的组中的至少一种单体成分的聚合物。

公开(公告)号：CN105368397B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201510902635.5

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种研磨剂、研磨剂组件及使用该研磨剂的基板研磨方法。所述研磨剂含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂，所述添加剂含有选自以下的(1)～(3)组成的组中的至少一种：(1)烯丙胺聚合物或其衍生物；(2)二烯丙基胺聚合物或其衍生物；(3)含有选自由下述通式(Ⅰ)～(Ⅳ)组成的组中的至少一种单体成分的聚合物。

公开(公告)号：CN102766407B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201210212508.9

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105 ,  B24B37/04

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法。本发明涉及含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂的研磨剂，该添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。本发明提供一种在使绝缘膜平坦化的CMP技术中可以高速且低研磨损伤地研磨绝缘膜、且氧化硅膜与停止膜的研磨速度比高的研磨剂。而且提供一种保管该研磨剂时的研磨剂组件及使用有该研磨剂的基板研磨方法。

公开(公告)号：CN105368397A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510902635.5

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种研磨剂、研磨剂组件及使用该研磨剂的基板研磨方法。所述研磨剂含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂，所述添加剂含有选自以下的(1)～(3)组成的组中的至少一种：(1)烯丙胺聚合物或其衍生物；(2)二烯丙基胺聚合物或其衍生物；(3)含有选自由下述通式(Ⅰ)～(Ⅳ)组成的组中的至少一种单体成分的聚合物。