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公开(公告)号：CN101560373B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200910203503.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法。本发明的研磨剂为用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，作为所述研磨抑制剂，优选使用：炔系二醇的氧化乙烯加成物、具有炔键的水溶性有机化合物、烷氧基化直链脂肪醇中的任一种，或者聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明的研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。
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公开(公告)号：CN104137227B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201380010626.4
申请日：2013-01-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , C03C8/16 , C08L101/00 , C09D201/00
CPC classification number: H01L21/2255 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C08L1/28 , H01L21/2225 , H01L21/324 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN107148662A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580056781.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供含有包含施主元素且粒径d90为0.1μm～1.5μm的玻璃粉末和分散介质的n型扩散层形成组合物、以及使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN105830200A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069124.3
申请日：2014-12-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，具有：对半导体基板的至少一部分分别在不同的区域赋予n型扩散层形成组合物和p型扩散层形成组合物的工序，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质，所述p型扩散层形成组合物含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质；和通过进行热处理而形成n型扩散层、并且形成p型扩散层的工序。
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公开(公告)号：CN104137227A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010626.4
申请日：2013-01-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , C03C8/16 , C08L101/00 , C09D201/00
CPC classification number: H01L21/2255 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C08L1/28 , H01L21/2225 , H01L21/324 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102965025B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210434219.3
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法。本发明的氧化硅用研磨剂为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，所述多晶硅研磨抑制剂包括从聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物选出的聚乙烯吡咯烷酮类。
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公开(公告)号：CN106537559A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038703.6
申请日：2015-07-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有n型扩散层的半导体基板的制造方法，其包括将半导体基板在气体的流量以线速度计为3mm/秒～60mm/秒的条件下进行热处理的工序，所述半导体基板在至少一部分被赋予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介质的n型扩散层形成组合物。
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公开(公告)号：CN105814665A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480067286.3
申请日：2014-12-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/228 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 通过第一扩散工序和第二扩散工序而在一个半导体基板的不同部位形成n型扩散层和p型扩散层。在第一扩散工序具有将含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质的p型扩散层形成组合物赋予到半导体基板的工序、和通过热处理使受主元素扩散到半导体基板中而形成p型扩散层的工序的情况下，第二扩散工序具有以p型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使磷扩散的工序。可以将第一扩散工序的p型扩散层形成组合物用含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质的n型扩散层形成组合物来代替，此时，在第二扩散工序中，以n型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使硼扩散。
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公开(公告)号：CN105518828A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480047084.2
申请日：2014-08-20
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成组合物、使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属化合物。
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公开(公告)号：CN104081499A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380005051.7
申请日：2013-01-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其含有：含施主元素化合物；金属化合物，其是与上述含施主元素化合物不同的化合物，且含有选自碱土金属及碱金属中的至少1种金属元素；和分散介质。此外，本发明还提供一种带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其在半导体基板上赋予上述n型扩散层形成用组合物而形成组合物层，并且对形成有上述组合物层的半导体基板实施热处理，从而制造带n型扩散层的半导体基板。
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