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公开(公告)号：CN111172505B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010046911.3
申请日：2020-01-16
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明揭示了一种磁控溅射靶材组件的制备方法，包括以下步骤：先采用石墨烯纳米片为原料制备石墨烯纳米片纸，然后把石墨烯纳米片纸与背板交替叠加在一起后置于平板硫化机下进行压制，即可得到石墨烯纳米片纸/背板复合层，之后把石墨烯纳米片纸/背板复合层与电极、靶材贴合在一起，即可得到磁控溅射靶材组件。本发明提供的一种磁控溅射靶材组件及其制备方法，通过利用石墨烯的高导电、高导热、高表面积的优点，将石墨烯纳米片纸与背板通过物理作用贴合在一起，填补背板与靶材间的空隙，起到导电导热通路的作用，能有效解决现有技术采用绑定技术将增加制备磁控溅射靶材组件的复杂性的技术问题。
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公开(公告)号：CN112951956A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110272272.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及LED外延片及其制备方法，具体公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，该外延片包括FTO衬底、在FTO衬底上的GaN种子层、生长在GaN种子层上的GaN纳米柱层、生长在GaN纳米柱层上的非掺杂GaN层、生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜、生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱、生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明采用FTO衬底，FTO衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本；同时，FTO具有导电、透光的特点，可以直接作为n型电极，在LED外延片上制作p型电极，有利于制备垂直结构的LED。
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公开(公告)号：CN113257969A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110509475.3
申请日：2021-05-10
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法，其外延片结构包括：生长碳化硅衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的低温a面AlGaN层、生长在所述低温a面AlGaN层上的高温非掺杂a面AlGaN层、生长在所述高温非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。本公开的碳化硅衬底上非极性AlGaN基紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳，能有效减少位错形成，提高了载流子辐射复合效率，制备出高导热、高导电、高发光性能紫外LED。
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公开(公告)号：CN112877664A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110048126.6
申请日：2021-01-14
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种锡酸镉薄膜的制备方法，包括步骤：步骤一，将CTO单靶材安装于靶位上；步骤二，将玻璃衬底置于磁控溅射室的衬底托盘上；步骤三，对腔室抽真空；步骤四，对衬底托盘加热；步骤五，通入氩气，设置腔室压强；步骤六，设定溅射功率和衬底转盘的转速；步骤七，将CTO预溅射10min后，开始正式溅射，得到CTO薄膜。本公开通过磁控溅射单靶溅射，相比采用多靶材溅射，操作简单，从而CTO薄膜的制备得到改善。
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公开(公告)号：CN111172505A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010046911.3
申请日：2020-01-16
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明揭示了一种磁控溅射靶材组件的制备方法，包括以下步骤：先采用石墨烯纳米片为原料制备石墨烯纳米片纸，然后把石墨烯纳米片纸与背板交替叠加在一起后置于平板硫化机下进行压制，即可得到石墨烯纳米片纸/背板复合层，之后把石墨烯纳米片纸/背板复合层与电极、靶材贴合在一起，即可得到磁控溅射靶材组件。本发明提供的一种磁控溅射靶材组件及其制备方法，通过利用石墨烯的高导电、高导热、高表面积的优点，将石墨烯纳米片纸与背板通过物理作用贴合在一起，填补背板与靶材间的空隙，起到导电导热通路的作用，能有效解决现有技术采用绑定技术将增加制备磁控溅射靶材组件的复杂性的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110763344B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201911047766.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种GaN基光热探测薄膜元件，所述薄膜元件包括单晶衬底、[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格、金属电极、引线、吸收层、减反射保护层、导热胶和热沉，所述单晶衬底为(00l)取向并沿c轴斜切，所述[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格交替外延生长在单晶衬底上，以p‑GaN面截止并刻蚀梯形台面，所述金属电极设置在[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格和单晶衬底的c轴倾斜方向的两侧，形成欧姆接触，所述金属电极由所述引线导出并与信号输入端连接，所述吸收层覆盖在[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格的有效探测表面，所述减反射保护层覆盖在吸收层上，所述热沉通过导热胶与单晶衬底连接固定。本发明的薄膜探测元件体积小、灵敏度高、破坏阈值大、响应速度快，适用于大批量规模生产，能同时实现宽光谱探测和热辐射探测。
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公开(公告)号：CN111223983A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010126941.5
申请日：2020-02-28
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种宽禁带薄膜激光探测元件，所述激光探测元件包括Al1-xGaxN梯度薄膜，Al1-xGaxN梯度薄膜作为光热敏感层。与现有技术相比，本发明的有益效果为：（1）本发明的宽禁带薄膜激光探测元件兼顾表面敏感层的响应率和薄膜/衬底界面的高导热性，高能量密度、大功率激光探测无需制冷；（2）本发明的宽禁带薄膜激光探测元件探测短波极限范围宽、线性度好；（3）本发明的宽禁带薄膜激光探测元件适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN117712257A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311725246.0
申请日：2023-12-14
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 提供一种AlGaN基纳米柱阵列紫外LED外延片及其制备方法。AlGaN基纳米柱阵列紫外LED外延片包括蓝宝石、在蓝宝石上的石墨烯层、在石墨烯层上的GaN纳米柱层、在GaN纳米柱层上的AlGaN组分渐变结构纳米柱层、在AlGaN组分渐变结构纳米柱层上的非掺杂AlGaN纳米柱层、在非掺杂AlGaN纳米柱层上的n型掺杂AlGaN纳米柱层、在n型掺杂AlGaN纳米柱层上的AlGaN多量子阱层、在AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、在电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层以及在p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层，GaN纳米柱层、AlGaN组分渐变结构纳米柱层、非掺杂AlGaN纳米柱层、n型掺杂AlGaN纳米柱层、AlGaN多量子阱层、电子阻挡层、p型掺杂AlGaN层以及p型掺杂GaN层以柱阵列分布在石墨烯层上。由此，光谱峰值能够达到3.6×105。
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公开(公告)号：CN117690990A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311725295.4
申请日：2023-12-14
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , B82Y20/00
Abstract: 提供一种GaN基纳米柱阵列紫外光探测器件外延片及其制备方法。GaN基纳米柱阵列紫外光探测器件外延片包括硅衬底、硅衬底上的石墨烯层、石墨烯层上的GaN纳米柱层、GaN纳米柱层上的与GaN纳米柱层形成I型核壳结构的AlN纳米柱层以及AlN纳米柱层上的ITO电极。所述GaN基纳米柱阵列紫外光探测器件外延片的制备方法包括步骤：S1，选取硅衬底；S2，在硅衬底上制备石墨烯；S3，在石墨烯上生长GaN纳米柱层；S4，在GaN纳米柱层的顶面和与顶面相邻的四周侧上生长AlN纳米柱层；S5，在AlN纳米柱层上生长镀覆ITO电极。
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公开(公告)号：CN110763344A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911047766.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种GaN基光热探测薄膜元件，所述薄膜元件包括单晶衬底、[p-GaN/n-GaN]N超晶格、金属电极、引线、吸收层、减反射保护层、导热胶和热沉，所述单晶衬底为(00l)取向并沿c轴斜切，所述[p-GaN/n-GaN]N超晶格交替外延生长在单晶衬底上，以p-GaN面截止并刻蚀梯形台面，所述金属电极设置在[p-GaN/n-GaN]N超晶格和单晶衬底的c轴倾斜方向的两侧，形成欧姆接触，所述金属电极由所述引线导出并与信号输入端连接，所述吸收层覆盖在[p-GaN/n-GaN]N超晶格的有效探测表面，所述减反射保护层覆盖在吸收层上，所述热沉通过导热胶与单晶衬底连接固定。本发明的薄膜探测元件体积小、灵敏度高、破坏阈值大、响应速度快，适用于大批量规模生产，能同时实现宽光谱探测和热辐射探测。
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