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公开(公告)号：CN118726910A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410717969.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，公开了一种叠层薄膜及其制备方法，该叠层薄膜，包括钛薄膜和沉积在钛薄膜上的铟铈钛钽氧化物薄膜；所述钛薄膜的厚度占叠层薄膜总厚度的5‑15％。本发明通过控制叠层薄膜中的钛薄膜的厚度占比，发现在该厚度占比范围下的叠层薄膜不仅仅具有较低的方阻，还有效提升了薄膜的透过率，获得了电阻低且透过率更高、反射率更低的薄膜。
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公开(公告)号：CN112877664A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110048126.6
申请日：2021-01-14
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种锡酸镉薄膜的制备方法，包括步骤：步骤一，将CTO单靶材安装于靶位上；步骤二，将玻璃衬底置于磁控溅射室的衬底托盘上；步骤三，对腔室抽真空；步骤四，对衬底托盘加热；步骤五，通入氩气，设置腔室压强；步骤六，设定溅射功率和衬底转盘的转速；步骤七，将CTO预溅射10min后，开始正式溅射，得到CTO薄膜。本公开通过磁控溅射单靶溅射，相比采用多靶材溅射，操作简单，从而CTO薄膜的制备得到改善。
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公开(公告)号：CN117802455A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311850450.5
申请日：2023-12-29
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种铝或铝合金薄膜及其制备方法与应用，涉及薄膜材料技术领域。本申请铝或铝合金薄膜包括依次层叠的衬底、第一Cr层、铝或铝合金层、以及第二Cr层，不仅铝或铝合金层在衬底上附着力良好，不易脱落，而且该薄膜电阻较低，适合在薄膜晶体管液晶显示器栅电极中应用。
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公开(公告)号：CN112951956A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110272272.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及LED外延片及其制备方法，具体公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，该外延片包括FTO衬底、在FTO衬底上的GaN种子层、生长在GaN种子层上的GaN纳米柱层、生长在GaN纳米柱层上的非掺杂GaN层、生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜、生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱、生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明采用FTO衬底，FTO衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本；同时，FTO具有导电、透光的特点，可以直接作为n型电极，在LED外延片上制作p型电极，有利于制备垂直结构的LED。
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公开(公告)号：CN119615092A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411812638.5
申请日：2024-12-10
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本申请属于功能薄膜材料技术领域，公开了一种薄膜及其制备方法，该薄膜由金属薄膜层以及沉积在金属薄膜层上的钛薄膜层组成，且金属薄膜层选自铜薄膜层、镍薄膜层或铝薄膜层；通过金属薄膜层与钛薄膜层进行搭配，能够有效降低钛薄膜层的电阻，提高薄膜的导电性；此外，本申请还公开了上述薄膜制备泡沫铁、LCD显示器或薄膜太阳能电池的用途。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118109790A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410229606.6
申请日：2024-02-29
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种TCO薄膜及其制备方法与应用，涉及薄膜材料技术领域。本申请通过采用特定氢气分压、氧气分压及生长温度的直流磁控溅射工艺制备氧化铟铈钛钽层，并在直流磁控溅射工艺结束后进行退火处理，有效改善了TCO薄膜的迁移率和可见光透过率，使所得薄膜适合用在感光元件的电极中。
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公开(公告)号：CN119824386A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411812606.5
申请日：2024-12-10
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本申请属于功能薄膜材料技术领域，公开了一种热电偶，由衬底及沉积在衬底表面的热电偶单元组成，该热电偶单元包括由镍铬靶材溅射得到的镍铬薄膜和由铜镍靶材溅射得到的铜镍薄膜，其中镍铬薄膜与铜镍薄膜部分重叠以使二者串联，并且通过控制镍铬靶材与铜镍金属靶材中的金属成分占比，所形成的镍铬‑铜镍膜层能够提升热电偶的灵敏度；此外，本申请还公开了上述热电偶的制备方法。
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公开(公告)号：CN117778951A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311850237.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种氧化钆掺杂的氧化铈薄膜及其制备方法与应用，涉及薄膜材料技术领域。本申请通过采用特定生长温度的直流磁控溅射工艺制备氧化钆掺杂氧化铈层，并在直流磁控溅射工艺结束后在特定的气体气氛中进行第一次退火和第二次退火，有效改善了氧化钆掺杂氧化铈层在衬底上的附着力，并使其稳定性良好，使所得薄膜适合用作固体燃料电池电解质中。
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公开(公告)号：CN113257969A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110509475.3
申请日：2021-05-10
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法，其外延片结构包括：生长碳化硅衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的低温a面AlGaN层、生长在所述低温a面AlGaN层上的高温非掺杂a面AlGaN层、生长在所述高温非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。本公开的碳化硅衬底上非极性AlGaN基紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳，能有效减少位错形成，提高了载流子辐射复合效率，制备出高导热、高导电、高发光性能紫外LED。
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公开(公告)号：CN222709479U
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202421309664.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: B01F29/80 , B01F35/221 , B01F35/93 , B01F35/30
Abstract: 本实用新型涉及混料设备技术领域，具体涉及一种原料混料装置，包括机架、搅拌桶、搅拌机构，搅拌桶转动连接在机架内；机架内设有用于驱动搅拌桶转动的驱动机构；搅拌机构的一端与机架连接，另一端位于搅拌桶内；机架上设有温控机构，搅拌机构内设有与温控机构连接的温度调节部，机架的顶部还设有使搅拌桶与外界连通的投料口和出料管。本实用新型通过温控机构和温度调节部的配合，能够对搅拌机构的温度进行调节；对于不同的混料环境，不仅能够对物料进行冷却，还能减少搅拌机构和物料之间的温度差，满足不同的混合需求，提高混合效率和产品质量。
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