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公开(公告)号：CN112951956A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110272272.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及LED外延片及其制备方法，具体公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，该外延片包括FTO衬底、在FTO衬底上的GaN种子层、生长在GaN种子层上的GaN纳米柱层、生长在GaN纳米柱层上的非掺杂GaN层、生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜、生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱、生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明采用FTO衬底，FTO衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本；同时，FTO具有导电、透光的特点，可以直接作为n型电极，在LED外延片上制作p型电极，有利于制备垂直结构的LED。
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公开(公告)号：CN109280799B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201811221099.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种金锌合金的制备方法，其包括如下步骤：S1、原料混合；S2、抽真空；S3、程序控温；S4、清理。同时提出了一种金锌合金箔片的制备方法，其包括如下步骤：S1、原料混合；S2、抽真空；S3、程序控温；S4、清理；S5、锻轧、切割；S6、浸泡。本发明金锌合金及其箔片的制备方法步骤简单，所制备得到的金锌合金及其箔片纯度较高、偏析极少且成分均匀，非常适合作为光学元器件的蒸镀原材料。
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公开(公告)号：CN110484965A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910948208.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法，所述生长方法为水平布里奇曼法，具体包括如下步骤：(1)将镓和氧化镓装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶；(2)将坩埚放入生长炉内，将生长炉抽真空后，充入惰性气体，加热熔化氧化镓，使氧化镓熔体与籽晶接触；(3)氧化镓完全熔化后，依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程；(4)晶体生长结束后，冷却，取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内，晶体生长过程中，氧化镓漂浮于镓溶体之上，与坩埚脱离，避免了生成的晶体与坩埚黏连，提高了晶体的质量，使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气，生成氧化镓，既不会引入杂质，还保护坩埚不被氧化。
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公开(公告)号：CN109179342A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810851488.7
申请日：2018-07-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明涉及一种高纯二碲化钼的制备方法，其包括S1、混合物料；S2、加热合成；S3、低真空度挥发除碲。本二碲化钼的生产方法，工艺简单，生产流程短，处理量大，可实现产业化；合成反应过程采用通流动保护气流的低压生产方式，在大批量生产时能很好地控制碲的蒸汽压，防止爆管，做到安全生产；采用低真空度系统，对设备整体结构要求简单，产品纯度高；对挥发的碲进行收集回收，综合降低生产成本，保护环境。
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公开(公告)号：CN106495113B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610881001.0
申请日：2016-10-08
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: C01B25/08
Abstract: 本发明提供一种高纯磷化锌的制备方法，属于化工原料生产领域，制备过程包括一次加热合成和二次加热挥发除杂。在通有流动惰性气体的环境下，通过一次加热合成得到粗磷化锌，再经过二次加热挥发除去未反应的锌和磷，得到高纯磷化锌。本发明同时设计了一种含磷尾气的净化吸收系统，以防止在工业生产过程中有磷化物排放到环境中，做到安全环保生产。本发明工艺流程短，所需设备简单，成本较低，适用于工业化生产磷化锌。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106757353A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710082989.9
申请日：2017-02-16
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
CPC classification number: C30B29/32 , C30B11/003
Abstract: 本发明公开了一种锗酸铋单晶体的生长方法，属于晶体生长领域。本发明采用可旋转多坩埚技术与垂直梯度凝固法相结合的方法生长锗酸铋单晶体。本发明提供的方法，改善了晶体生长界面温度场的径向对称性，提高锗酸铋单晶体的生长质量，同时有利于组分扩散，促进组分均匀分布，加快了锗酸铋单晶体的生长速度。本发明程序控制程度高，温度精确度高，波动小，重复性好，产量大，成本低。
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公开(公告)号：CN113603137A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202111092293.7
申请日：2021-09-17
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: C01G28/00
Abstract: 本发明提供了一种砷化镉的制备方法，包括以下步骤：A)在氮气流动气氛中，按照配比将镉料和砷料置于装料部件中，在所述装料部件中所述镉料置于所述砷料上部；B)将步骤A)得到的装料部件放置于反应仪器中，将所述反应仪器抽真空后充氮气至常压，重复若干次后充入氢气；C)将步骤B)得到的反应仪器置于加热炉的上方，将加热炉预热，再将反应仪器降至加热炉中加热，反应，最后将反应仪器升至炉外淬火，得到砷化镉。本申请提供的砷化镉的制备方法具有较高的反应效率和产品纯度，且具有较低的产品损耗。
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公开(公告)号：CN110763344A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911047766.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种GaN基光热探测薄膜元件，所述薄膜元件包括单晶衬底、[p-GaN/n-GaN]N超晶格、金属电极、引线、吸收层、减反射保护层、导热胶和热沉，所述单晶衬底为(00l)取向并沿c轴斜切，所述[p-GaN/n-GaN]N超晶格交替外延生长在单晶衬底上，以p-GaN面截止并刻蚀梯形台面，所述金属电极设置在[p-GaN/n-GaN]N超晶格和单晶衬底的c轴倾斜方向的两侧，形成欧姆接触，所述金属电极由所述引线导出并与信号输入端连接，所述吸收层覆盖在[p-GaN/n-GaN]N超晶格的有效探测表面，所述减反射保护层覆盖在吸收层上，所述热沉通过导热胶与单晶衬底连接固定。本发明的薄膜探测元件体积小、灵敏度高、破坏阈值大、响应速度快，适用于大批量规模生产，能同时实现宽光谱探测和热辐射探测。
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公开(公告)号：CN113257969A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110509475.3
申请日：2021-05-10
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法，其外延片结构包括：生长碳化硅衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的低温a面AlGaN层、生长在所述低温a面AlGaN层上的高温非掺杂a面AlGaN层、生长在所述高温非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。本公开的碳化硅衬底上非极性AlGaN基紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳，能有效减少位错形成，提高了载流子辐射复合效率，制备出高导热、高导电、高发光性能紫外LED。
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公开(公告)号：CN110484965B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910948208.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法，所述生长方法为水平布里奇曼法，具体包括如下步骤：(1)将镓和氧化镓装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶；(2)将坩埚放入生长炉内，将生长炉抽真空后，充入惰性气体，加热熔化氧化镓，使氧化镓熔体与籽晶接触；(3)氧化镓完全熔化后，依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程；(4)晶体生长结束后，冷却，取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内，晶体生长过程中，氧化镓漂浮于镓溶体之上，与坩埚脱离，避免了生成的晶体与坩埚黏连，提高了晶体的质量，使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气，生成氧化镓，既不会引入杂质，还保护坩埚不被氧化。
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