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公开(公告)号：CN110484965A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910948208.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法，所述生长方法为水平布里奇曼法，具体包括如下步骤：(1)将镓和氧化镓装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶；(2)将坩埚放入生长炉内，将生长炉抽真空后，充入惰性气体，加热熔化氧化镓，使氧化镓熔体与籽晶接触；(3)氧化镓完全熔化后，依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程；(4)晶体生长结束后，冷却，取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内，晶体生长过程中，氧化镓漂浮于镓溶体之上，与坩埚脱离，避免了生成的晶体与坩埚黏连，提高了晶体的质量，使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气，生成氧化镓，既不会引入杂质，还保护坩埚不被氧化。
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公开(公告)号：CN110484965B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910948208.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法，所述生长方法为水平布里奇曼法，具体包括如下步骤：(1)将镓和氧化镓装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶；(2)将坩埚放入生长炉内，将生长炉抽真空后，充入惰性气体，加热熔化氧化镓，使氧化镓熔体与籽晶接触；(3)氧化镓完全熔化后，依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程；(4)晶体生长结束后，冷却，取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内，晶体生长过程中，氧化镓漂浮于镓溶体之上，与坩埚脱离，避免了生成的晶体与坩埚黏连，提高了晶体的质量，使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气，生成氧化镓，既不会引入杂质，还保护坩埚不被氧化。
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公开(公告)号：CN110685013A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911081896.X
申请日：2019-11-07
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锑化物晶体生长装置及生长方法。本发明通过将高纯原料置于船形石英坩埚内，船形石英坩埚的一端的籽晶槽内装有籽晶，升温使高纯原料反应并熔化成锑化物熔体，熔体与籽晶接触后开始晶体生长，一次晶体生长之后，通过多次单晶区熔进行提纯，降温冷却后得到锑化物晶体。该生长方法工序简单、效率高，且得到的锑化物晶体结晶性能良好，无开裂，无气泡、夹杂等缺陷，单晶重复率较高，成晶率达到90％～100％。
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公开(公告)号：CN110629284A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911047773.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶体的生长方法，包括以下步骤：(1)在玻璃基板上沉积金属薄膜，然后高温退火，得到已沉积金属薄膜的玻璃基板；(2)将步骤(1)所得的已沉积金属薄膜的玻璃基板置于晶体生长炉内，在晶体生长炉内通入酸性气体腐蚀，然后通入吹扫气体吹扫；(3)吹扫结束后通入氨气和氯化镓气体，并在金属薄膜上沉积氮化镓晶体，晶体生长完成后，将已沉积氮化镓晶体和金属薄膜的玻璃基板置于腐蚀液中，将金属薄膜腐蚀，得到氮化镓晶体。本发明的生长方法制备得到的氮化镓晶体结晶性能良好，无多晶等缺陷；且该生长方法成本低，适合大规模产业化。
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公开(公告)号：CN110629284B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201911047773.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶体的生长方法，包括以下步骤：(1)在玻璃基板上沉积金属薄膜，然后高温退火，得到已沉积金属薄膜的玻璃基板；(2)将步骤(1)所得的已沉积金属薄膜的玻璃基板置于晶体生长炉内，在晶体生长炉内通入酸性气体腐蚀，然后通入吹扫气体吹扫；(3)吹扫结束后通入氨气和氯化镓气体，并在金属薄膜上沉积氮化镓晶体，晶体生长完成后，将已沉积氮化镓晶体和金属薄膜的玻璃基板置于腐蚀液中，将金属薄膜腐蚀，得到氮化镓晶体。本发明的生长方法制备得到的氮化镓晶体结晶性能良好，无多晶等缺陷；且该生长方法成本低，适合大规模产业化。
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