公开(公告)号：CN110484965A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910948208.9

申请日：2019-09-30

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 狄聚青 ,  朱刘 ,  刘运连 ,  黄幸蔚 ,  薛帅 ,  崔博

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法，所述生长方法为水平布里奇曼法，具体包括如下步骤：(1)将镓和氧化镓装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶；(2)将坩埚放入生长炉内，将生长炉抽真空后，充入惰性气体，加热熔化氧化镓，使氧化镓熔体与籽晶接触；(3)氧化镓完全熔化后，依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程；(4)晶体生长结束后，冷却，取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内，晶体生长过程中，氧化镓漂浮于镓溶体之上，与坩埚脱离，避免了生成的晶体与坩埚黏连，提高了晶体的质量，使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气，生成氧化镓，既不会引入杂质，还保护坩埚不被氧化。

公开(公告)号：CN110484965B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201910948208.9

申请日：2019-09-30

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 狄聚青 ,  朱刘 ,  刘运连 ,  黄幸蔚 ,  薛帅 ,  崔博

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体的生长方法，所述生长方法为水平布里奇曼法，具体包括如下步骤：(1)将镓和氧化镓装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入氧化镓籽晶；(2)将坩埚放入生长炉内，将生长炉抽真空后，充入惰性气体，加热熔化氧化镓，使氧化镓熔体与籽晶接触；(3)氧化镓完全熔化后，依次进行引晶、放肩和等径生长的晶体生长过程；(4)晶体生长结束后，冷却，取出氧化镓晶体。本发明将镓和氧化镓放入坩埚内，晶体生长过程中，氧化镓漂浮于镓溶体之上，与坩埚脱离，避免了生成的晶体与坩埚黏连，提高了晶体的质量，使晶体易于取出。且镓的存在能吸收氧化镓晶体生长过程中释放的氧气，生成氧化镓，既不会引入杂质，还保护坩埚不被氧化。