-
公开(公告)号：CN110629284B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201911047773.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶体的生长方法，包括以下步骤：(1)在玻璃基板上沉积金属薄膜，然后高温退火，得到已沉积金属薄膜的玻璃基板；(2)将步骤(1)所得的已沉积金属薄膜的玻璃基板置于晶体生长炉内，在晶体生长炉内通入酸性气体腐蚀，然后通入吹扫气体吹扫；(3)吹扫结束后通入氨气和氯化镓气体，并在金属薄膜上沉积氮化镓晶体，晶体生长完成后，将已沉积氮化镓晶体和金属薄膜的玻璃基板置于腐蚀液中，将金属薄膜腐蚀，得到氮化镓晶体。本发明的生长方法制备得到的氮化镓晶体结晶性能良好，无多晶等缺陷；且该生长方法成本低，适合大规模产业化。
-
公开(公告)号：CN110685013A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911081896.X
申请日：2019-11-07
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锑化物晶体生长装置及生长方法。本发明通过将高纯原料置于船形石英坩埚内，船形石英坩埚的一端的籽晶槽内装有籽晶，升温使高纯原料反应并熔化成锑化物熔体，熔体与籽晶接触后开始晶体生长，一次晶体生长之后，通过多次单晶区熔进行提纯，降温冷却后得到锑化物晶体。该生长方法工序简单、效率高，且得到的锑化物晶体结晶性能良好，无开裂，无气泡、夹杂等缺陷，单晶重复率较高，成晶率达到90％～100％。
-
公开(公告)号：CN110629284A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911047773.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶体的生长方法，包括以下步骤：(1)在玻璃基板上沉积金属薄膜，然后高温退火，得到已沉积金属薄膜的玻璃基板；(2)将步骤(1)所得的已沉积金属薄膜的玻璃基板置于晶体生长炉内，在晶体生长炉内通入酸性气体腐蚀，然后通入吹扫气体吹扫；(3)吹扫结束后通入氨气和氯化镓气体，并在金属薄膜上沉积氮化镓晶体，晶体生长完成后，将已沉积氮化镓晶体和金属薄膜的玻璃基板置于腐蚀液中，将金属薄膜腐蚀，得到氮化镓晶体。本发明的生长方法制备得到的氮化镓晶体结晶性能良好，无多晶等缺陷；且该生长方法成本低，适合大规模产业化。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.021 seconds)
