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发明公开
一种锑化物晶体生长装置及生长方法有权转让质押

公开(公告)号：CN110685013A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911081896.X

申请日：2019-11-07

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 狄聚青 , 朱刘 , 刘运连 , 易明辉 , 黄幸慰 , 薛帅 , 崔博 , 方义林

IPC: C30B29/40 , C30B13/00 , C30B13/14

Abstract: 本发明公开了一种锑化物晶体生长装置及生长方法。本发明通过将高纯原料置于船形石英坩埚内，船形石英坩埚的一端的籽晶槽内装有籽晶，升温使高纯原料反应并熔化成锑化物熔体，熔体与籽晶接触后开始晶体生长，一次晶体生长之后，通过多次单晶区熔进行提纯，降温冷却后得到锑化物晶体。该生长方法工序简单、效率高，且得到的锑化物晶体结晶性能良好，无开裂，无气泡、夹杂等缺陷，单晶重复率较高，成晶率达到90％～100％。

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