公开(公告)号：CN109179342A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810851488.7

申请日：2018-07-30

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 刘运连 ,  滕飞 ,  朱刘 ,  王春泉 ,  狄聚青 ,  赵颂 ,  袁静

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明涉及一种高纯二碲化钼的制备方法，其包括S1、混合物料；S2、加热合成；S3、低真空度挥发除碲。本二碲化钼的生产方法，工艺简单，生产流程短，处理量大，可实现产业化；合成反应过程采用通流动保护气流的低压生产方式，在大批量生产时能很好地控制碲的蒸汽压，防止爆管，做到安全生产；采用低真空度系统，对设备整体结构要求简单，产品纯度高；对挥发的碲进行收集回收，综合降低生产成本，保护环境。

公开(公告)号：CN109179342B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201810851488.7

申请日：2018-07-30

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 刘运连 ,  滕飞 ,  朱刘 ,  王春泉 ,  狄聚青 ,  赵颂 ,  袁静

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明涉及一种高纯二碲化钼的制备方法，其包括S1、混合物料；S2、加热合成；S3、低真空度挥发除碲。本二碲化钼的生产方法，工艺简单，生产流程短，处理量大，可实现产业化；合成反应过程采用通流动保护气流的低压生产方式，在大批量生产时能很好地控制碲的蒸汽压，防止爆管，做到安全生产；采用低真空度系统，对设备整体结构要求简单，产品纯度高；对挥发的碲进行收集回收，综合降低生产成本，保护环境。

公开(公告)号：CN110820043A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810900366.2

申请日：2018-08-09

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 狄聚青 ,  朱刘 ,  刘运连 ,  赵颂 ,  袁静

IPC: C30B27/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/28 ,  C30B29/30 ,  C30B29/46 ,  C30B29/32

Abstract: 本发明涉及一种晶体生长装置，其包括一石英炉、一底座、一顶盖、一提拉机构以及一籽晶；底座和顶盖分别固定于石英炉的下表面和上表面；石英炉包括一坩埚、包覆坩埚的保温材料、围绕坩埚的一加热器、一进气管、一波纹管、一籽晶杆、一出气管；坩埚内置有熔体，籽晶与熔体的液面相接；保温材料上部开设有上下贯穿的第一通孔，顶盖开设有上下贯穿的第二通孔，波纹管连接于顶盖和提拉机构之间，石英炉、顶盖、波纹管、提拉机构共同形成一炉腔，籽晶杆上下贯穿第一通孔、第二通孔，且籽晶杆两端分别连接籽晶和提拉机构；进气管贯穿底座而与炉腔连通；出气管贯穿顶盖，出气管的一端与炉腔连通。本发明同时涉及一种晶体生长方法。