公开(公告)号：CN113257969A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110509475.3

申请日：2021-05-10

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 朱刘 ,  宋世金 ,  狄聚青 ,  刘浩飞 ,  张新勇 ,  苑汇帛 ,  汤惠淋

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开提供一种非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法，其外延片结构包括：生长碳化硅衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的低温a面AlGaN层、生长在所述低温a面AlGaN层上的高温非掺杂a面AlGaN层、生长在所述高温非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。本公开的碳化硅衬底上非极性AlGaN基紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳，能有效减少位错形成，提高了载流子辐射复合效率，制备出高导热、高导电、高发光性能紫外LED。

公开(公告)号：CN112951956A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110272272.7

申请日：2021-03-12

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 朱刘 ,  宋世金 ,  狄聚青 ,  刘浩飞 ,  张新勇 ,  苑汇帛 ,  汤惠淋

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及LED外延片及其制备方法，具体公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，该外延片包括FTO衬底、在FTO衬底上的GaN种子层、生长在GaN种子层上的GaN纳米柱层、生长在GaN纳米柱层上的非掺杂GaN层、生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜、生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱、生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明采用FTO衬底，FTO衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本；同时，FTO具有导电、透光的特点，可以直接作为n型电极，在LED外延片上制作p型电极，有利于制备垂直结构的LED。

公开(公告)号：CN117690990A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311725295.4

申请日：2023-12-14

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 宋世金 ,  苑汇帛 ,  郑鑫 ,  张健

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  B82Y20/00

Abstract: 提供一种GaN基纳米柱阵列紫外光探测器件外延片及其制备方法。GaN基纳米柱阵列紫外光探测器件外延片包括硅衬底、硅衬底上的石墨烯层、石墨烯层上的GaN纳米柱层、GaN纳米柱层上的与GaN纳米柱层形成I型核壳结构的AlN纳米柱层以及AlN纳米柱层上的ITO电极。所述GaN基纳米柱阵列紫外光探测器件外延片的制备方法包括步骤：S1，选取硅衬底；S2，在硅衬底上制备石墨烯；S3，在石墨烯上生长GaN纳米柱层；S4，在GaN纳米柱层的顶面和与顶面相邻的四周侧上生长AlN纳米柱层；S5，在AlN纳米柱层上生长镀覆ITO电极。