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发明公开
GaN基纳米柱阵列紫外光探测器外延片及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117690990A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311725295.4

申请日：2023-12-14

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 宋世金 , 苑汇帛 , 郑鑫 , 张健

IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , B82Y20/00

Abstract: 提供一种GaN基纳米柱阵列紫外光探测器件外延片及其制备方法。GaN基纳米柱阵列紫外光探测器件外延片包括硅衬底、硅衬底上的石墨烯层、石墨烯层上的GaN纳米柱层、GaN纳米柱层上的与GaN纳米柱层形成I型核壳结构的AlN纳米柱层以及AlN纳米柱层上的ITO电极。所述GaN基纳米柱阵列紫外光探测器件外延片的制备方法包括步骤：S1，选取硅衬底；S2，在硅衬底上制备石墨烯；S3，在石墨烯上生长GaN纳米柱层；S4，在GaN纳米柱层的顶面和与顶面相邻的四周侧上生长AlN纳米柱层；S5，在AlN纳米柱层上生长镀覆ITO电极。

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