锡酸镉薄膜的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112877664A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110048126.6

    申请日:2021-01-14

    Abstract: 本公开提供了一种锡酸镉薄膜的制备方法,包括步骤:步骤一,将CTO单靶材安装于靶位上;步骤二,将玻璃衬底置于磁控溅射室的衬底托盘上;步骤三,对腔室抽真空;步骤四,对衬底托盘加热;步骤五,通入氩气,设置腔室压强;步骤六,设定溅射功率和衬底转盘的转速;步骤七,将CTO预溅射10min后,开始正式溅射,得到CTO薄膜。本公开通过磁控溅射单靶溅射,相比采用多靶材溅射,操作简单,从而CTO薄膜的制备得到改善。

    一种磁控溅射靶材组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111172505A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010046911.3

    申请日:2020-01-16

    Inventor: 任丽 朱刘 宋世金

    Abstract: 本发明揭示了一种磁控溅射靶材组件的制备方法,包括以下步骤:先采用石墨烯纳米片为原料制备石墨烯纳米片纸,然后把石墨烯纳米片纸与背板交替叠加在一起后置于平板硫化机下进行压制,即可得到石墨烯纳米片纸/背板复合层,之后把石墨烯纳米片纸/背板复合层与电极、靶材贴合在一起,即可得到磁控溅射靶材组件。本发明提供的一种磁控溅射靶材组件及其制备方法,通过利用石墨烯的高导电、高导热、高表面积的优点,将石墨烯纳米片纸与背板通过物理作用贴合在一起,填补背板与靶材间的空隙,起到导电导热通路的作用,能有效解决现有技术采用绑定技术将增加制备磁控溅射靶材组件的复杂性的技术问题。

    一种磁控溅射靶材组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111172505B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202010046911.3

    申请日:2020-01-16

    Inventor: 任丽 朱刘 宋世金

    Abstract: 本发明揭示了一种磁控溅射靶材组件的制备方法,包括以下步骤:先采用石墨烯纳米片为原料制备石墨烯纳米片纸,然后把石墨烯纳米片纸与背板交替叠加在一起后置于平板硫化机下进行压制,即可得到石墨烯纳米片纸/背板复合层,之后把石墨烯纳米片纸/背板复合层与电极、靶材贴合在一起,即可得到磁控溅射靶材组件。本发明提供的一种磁控溅射靶材组件及其制备方法,通过利用石墨烯的高导电、高导热、高表面积的优点,将石墨烯纳米片纸与背板通过物理作用贴合在一起,填补背板与靶材间的空隙,起到导电导热通路的作用,能有效解决现有技术采用绑定技术将增加制备磁控溅射靶材组件的复杂性的技术问题。

    宽禁带薄膜激光探测元件

    公开(公告)号:CN111223983A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010126941.5

    申请日:2020-02-28

    Abstract: 本发明提出一种宽禁带薄膜激光探测元件,所述激光探测元件包括Al1-xGaxN梯度薄膜,Al1-xGaxN梯度薄膜作为光热敏感层。与现有技术相比,本发明的有益效果为:(1)本发明的宽禁带薄膜激光探测元件兼顾表面敏感层的响应率和薄膜/衬底界面的高导热性,高能量密度、大功率激光探测无需制冷;(2)本发明的宽禁带薄膜激光探测元件探测短波极限范围宽、线性度好;(3)本发明的宽禁带薄膜激光探测元件适用于大规模生产。

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