公开(公告)号：CN117712257A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311725246.0

申请日：2023-12-14

Applicant: 广东先导稀材股份有限公司

Inventor： 宋世金 ,  雷江涛 ,  纪东 ,  马超群

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00 ,  C23C28/04 ,  C23C16/34 ,  C30B25/02 ,  C30B31/06

Abstract: 提供一种AlGaN基纳米柱阵列紫外LED外延片及其制备方法。AlGaN基纳米柱阵列紫外LED外延片包括蓝宝石、在蓝宝石上的石墨烯层、在石墨烯层上的GaN纳米柱层、在GaN纳米柱层上的AlGaN组分渐变结构纳米柱层、在AlGaN组分渐变结构纳米柱层上的非掺杂AlGaN纳米柱层、在非掺杂AlGaN纳米柱层上的n型掺杂AlGaN纳米柱层、在n型掺杂AlGaN纳米柱层上的AlGaN多量子阱层、在AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、在电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层以及在p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层，GaN纳米柱层、AlGaN组分渐变结构纳米柱层、非掺杂AlGaN纳米柱层、n型掺杂AlGaN纳米柱层、AlGaN多量子阱层、电子阻挡层、p型掺杂AlGaN层以及p型掺杂GaN层以柱阵列分布在石墨烯层上。由此，光谱峰值能够达到3.6×105。