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公开(公告)号：CN104347500A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410383841.5
申请日：2014-08-06
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02076 , H01L21/2686 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供晶片的分割方法，抑制裂纹的增长，并除去残留于芯片侧面的改质区域和碎片。晶片的分割方法包括：沿着切割道(75)照射激光，在晶片(W)的内部形成改质区域(77)的工序；以改质区域作为起点将晶片分割为一个个芯片(C)的工序；使投入了晶片的处理室内成为真空状态，将处理室内用惰性气体充满的工序；以及向充满了惰性气体的处理室内导入蚀刻气体，对芯片侧面(78)进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN104040699B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201280066775.8
申请日：2012-02-08
Applicant: 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45561 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够确实地抑制在处理作业时反应室中的ClF3浓度的降低的三氟化氯供给路的内面处理方法。使作为蚀刻气体使用三氟化氯的处理装置的处理腔室(1)与气体供给路(2)和气体排出路(3)连结成一体，使与蚀刻处理操作时供给的三氟化氯气体浓度相同的浓度或者比该浓度高的浓度的三氟化氯气体作用于该形成一体的处理腔室(1)、气体供给路(2)和气体排出路(3)中的至少处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面，至少对处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面通过氟化膜形成覆膜。
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公开(公告)号：CN102124544A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132360.4
申请日：2009-08-10
Applicant: 岩谷产业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00531 , B81C2201/0132 , G02B1/00 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件。提供采用电中性的反应性团簇进行的试样加工方法，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，生成反应性团簇，将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上而加工试样表面。
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公开(公告)号：CN104040699A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280066775.8
申请日：2012-02-08
Applicant: 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45561 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够确实地抑制在处理作业时反应室中的ClF3浓度的降低的三氟化氯供给路的内面处理方法。使作为蚀刻气体使用三氟化氯的处理装置的处理腔室(1)与气体供给路(2)和气体排出路(3)连结成一体，使与蚀刻处理操作时供给的三氟化氯气体浓度相同的浓度或者比该浓度高的浓度的三氟化氯气体作用于该形成一体的处理腔室(1)、气体供给路(2)和气体排出路(3)中的至少处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面，至少对处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面通过氟化膜形成覆膜。
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公开(公告)号：CN102728580A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086786.4
申请日：2012-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67028 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45587 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67051 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制对基板的有效区域的负面影响的状态下，良好地清洗基板的周边部的不要部位的技术。将在蚀刻工序中暴露而导致表面侧斜面部生成有针状突起群T，并且在背面侧的斜面部附着有复合化合物P的晶圆W放置于真空室内的旋转台。在真空室内，在晶圆W的上方侧以及下方侧设置有气体团簇喷嘴，从这些喷嘴向晶圆W的表面侧以及背面侧的斜面部照射与清洗处理对应的清洗气体的团簇C，并利用基于气体团簇C的碰撞的物理作用、和气体与除去对象部位的化学作用，除去针状突起群T以及复合化合物P。并且，通过将清扫气体向气体团簇C的照射位置排出，以防止由于清洗而产生的飞散物向晶圆W的再附着。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110462794B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880020478.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。
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公开(公告)号：CN110462794A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020478.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。
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公开(公告)号：CN104347500B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201410383841.5
申请日：2014-08-06
Abstract: 本发明提供晶片的分割方法，抑制裂纹的增长，并除去残留于芯片侧面的改质区域和碎片。晶片的分割方法包括：沿着切割道(75)照射激光，在晶片(W)的内部形成改质区域(77)的工序；以改质区域作为起点将晶片分割为一个个芯片(C)的工序；使投入了晶片的处理室内成为真空状态，将处理室内用惰性气体充满的工序；以及向充满了惰性气体的处理室内导入蚀刻气体，对芯片侧面(78)进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN102124544B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200980132360.4
申请日：2009-08-10
Applicant: 岩谷产业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00531 , B81C2201/0132 , G02B1/00 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件。提供采用电中性的反应性团簇进行的试样加工方法，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，生成反应性团簇，将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上而加工试样表面。
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公开(公告)号：CN102437001A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110287175.1
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
CPC classification number: H01L21/306 , C23C14/02 , C23C14/165 , C23C14/568 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa～100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀，Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下，向硅基板(W)的表面部喷射，使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下，在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。
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