公开(公告)号：CN104347500A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410383841.5

申请日：2014-08-06

Applicant: 株式会社迪思科 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 松崎荣 ,  增田隆俊 ,  前本希 ,  吉野裕 ,  妹尾武彦 ,  相田敏广 ,  枇榔智也

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/36

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供晶片的分割方法，抑制裂纹的增长，并除去残留于芯片侧面的改质区域和碎片。晶片的分割方法包括：沿着切割道(75)照射激光，在晶片(W)的内部形成改质区域(77)的工序；以改质区域作为起点将晶片分割为一个个芯片(C)的工序；使投入了晶片的处理室内成为真空状态，将处理室内用惰性气体充满的工序；以及向充满了惰性气体的处理室内导入蚀刻气体，对芯片侧面(78)进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN104347500B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201410383841.5

申请日：2014-08-06

Applicant: 株式会社迪思科 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 松崎荣 ,  增田隆俊 ,  前本希 ,  吉野裕 ,  妹尾武彦 ,  相田敏广 ,  枇榔智也

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/36

Abstract: 本发明提供晶片的分割方法，抑制裂纹的增长，并除去残留于芯片侧面的改质区域和碎片。晶片的分割方法包括：沿着切割道(75)照射激光，在晶片(W)的内部形成改质区域(77)的工序；以改质区域作为起点将晶片分割为一个个芯片(C)的工序；使投入了晶片的处理室内成为真空状态，将处理室内用惰性气体充满的工序；以及向充满了惰性气体的处理室内导入蚀刻气体，对芯片侧面(78)进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN102728580A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210086786.4

申请日：2012-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  井内健介 ,  清水昭贵 ,  安田健太 ,  吉野裕 ,  相田敏广 ,  妹尾武彦

IPC: B08B5/02 ,  B08B13/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种能够在抑制对基板的有效区域的负面影响的状态下，良好地清洗基板的周边部的不要部位的技术。将在蚀刻工序中暴露而导致表面侧斜面部生成有针状突起群T，并且在背面侧的斜面部附着有复合化合物P的晶圆W放置于真空室内的旋转台。在真空室内，在晶圆W的上方侧以及下方侧设置有气体团簇喷嘴，从这些喷嘴向晶圆W的表面侧以及背面侧的斜面部照射与清洗处理对应的清洗气体的团簇C，并利用基于气体团簇C的碰撞的物理作用、和气体与除去对象部位的化学作用，除去针状突起群T以及复合化合物P。并且，通过将清扫气体向气体团簇C的照射位置排出，以防止由于清洗而产生的飞散物向晶圆W的再附着。