公开(公告)号：CN1411049A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02105834.2

申请日：2002-04-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 福山俊一 ,  大和田保 ,  佐久间裕子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成第一绝缘膜、第一层间绝缘膜、第二和第三绝缘膜以及第二层间绝缘膜。形成布线沟槽到达第三绝缘膜的上表面，并且从布线沟槽的底部到第一绝缘膜的上表面形成通孔。在选择性地腐蚀第二层间绝缘膜的条件下，通过腐蚀第二层间绝缘膜，形成布线沟槽。在选择性地腐蚀第三绝缘膜的条件下，通过腐蚀去除暴露在布线沟槽底部的第三绝缘膜和暴露在通孔底部的第一绝缘膜。在通孔和布线沟槽中填充布线。

公开(公告)号：CN1976000A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610054759.3

申请日：2006-03-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉本贤 ,  大仓嘉之 ,  绵谷宏文 ,  大和田保 ,  福山俊一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76808

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件由包括垂直接线截面的接线结构组成。所述方法包括在接线层上形成由低介电常数材料制成的层间绝缘膜的步骤，通过利用SiH4气体和CO2气体的CVD在层间绝缘膜上形成氧化硅膜的步骤，形成覆盖氧化硅膜的化学放大抗蚀膜的步骤，以及在化学放大抗蚀膜上将形成垂直接线截面的位置处形成第一开口的步骤。

公开(公告)号：CN100452387C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN03106338.1

申请日：2003-02-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大塚敏志 ,  福山俊一

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种具有多层铜线路层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括一个形成有多个半导体元件的半导体衬底；在该半导体衬底上形成的第一层间绝缘膜，其具有第一布线槽；嵌入该第一布线槽中的第一铜线路；有第二布线槽的第二层间绝缘膜，该第二层间绝缘膜包括一个在上述第一铜线路和所述第一层间绝缘膜上形成的铜扩散防止层，在所述铜扩散防止层上形成一个氧化膜，在该氧化膜上形成一个有机绝缘树脂层；嵌入所述第二布线槽中的第二铜线线路。这样，本发明提供了多层铜线路和有机绝缘树脂层不易分离的半导体器件，并提供了其制造方法。

公开(公告)号：CN1467838A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03106338.1

申请日：2003-02-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大塚敏志 ,  福山俊一

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有多层铜线路层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括一个形成有多个半导体元件的半导体衬底；在该半导体衬底上形成的第一层间绝缘膜，其具有第一布线槽；嵌入该第一布线槽中的第一铜线路；有第二布线槽的第二层间绝缘膜，该第二层间绝缘膜包括一个在上述第一铜线路和所述第一层间绝缘膜上形成的铜扩散防止层，在所述铜扩散防止层上形成一个氧化膜，在该氧化膜上形成一个有机绝缘树脂层；嵌入所述第二布线槽中的第二铜线线路。这样，本发明提供了多层铜线路和有机绝缘树脂层不易分离的半导体器件，并提供了其制造方法。

公开(公告)号：CN1771593A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN03826446.3

申请日：2003-08-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 福山俊一 ,  大和田保 ,  井上裕子 ,  杉本贤

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于在具有多层配线结构的半导体装置中实现一种防止半导体装置的层间绝缘膜的破损或剥离等、运转速度为高速且结构稳定的半导体装置。根据本发明，在具有多层配线结构的半导体装置中，通过在多层配线结构中形成使用了断裂韧性值大的绝缘膜的配线结构，由此利用断裂韧性值大的绝缘膜，来缓和施加在半导体装置上的应力的影响，防止层间绝缘膜的破损或剥离，从而能够形成稳定的多层配线结构。

公开(公告)号：CN1397595A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02141093.3

申请日：2002-07-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 福山俊一 ,  大和田保 ,  井上裕子

IPC: C08L71/12 ,  C08K5/5415 ,  H01B3/42 ,  H05K1/03 ,  B32B27/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01B3/30 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76801 ,  H05K3/4676

Abstract: 一种用于形成绝缘膜的组合物，其包括被溶于溶剂中的一种低介电常数聚合材料及一种升华材料。优选低介电常数聚合材料包括聚芳醚。优选升华材料包括硅氧烷化合物，该化合物具有封闭立体结构，其角顶具有原子，诸如被称为Si－T8及Si－T12的那些。也公开了一种形成低介电常数绝缘膜的方法和利用由此形成的绝缘膜的电子零件或部件。

公开(公告)号：CN1238425C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN02141093.3

申请日：2002-07-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 福山俊一 ,  大和田保 ,  井上裕子

IPC: C08L71/12 ,  C08K5/5415 ,  H01B3/42 ,  H05K1/03 ,  B32B27/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01B3/30 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76801 ,  H05K3/4676

Abstract: 一种用于形成绝缘膜的组合物，其包括被溶于溶剂中的一种低介电常数聚合材料及一种升华材料。优选低介电常数聚合材料包括聚芳醚。优选升华材料包括硅氧烷化合物，该化合物具有封闭立体结构，其角顶具有原子，诸如被称为Si-T8及Si-T12的那些。也公开了一种形成低介电常数绝缘膜的方法和利用由此形成的绝缘膜的电子零件或部件。

公开(公告)号：CN1189934C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02105834.2

申请日：2002-04-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 福山俊一 ,  大和田保 ,  佐久间裕子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成第一绝缘膜、第一层间绝缘膜、第二和第三绝缘膜以及第二层间绝缘膜。形成布线沟槽到达第三绝缘膜的上表面，并且从布线沟槽的底部到第一绝缘膜的上表面形成通孔。在选择性地腐蚀第二层间绝缘膜的条件下，通过腐蚀第二层间绝缘膜，形成布线沟槽。在选择性地腐蚀第三绝缘膜的条件下，通过腐蚀去除暴露在布线沟槽底部的第三绝缘膜和暴露在通孔底部的第一绝缘膜。在通孔和布线沟槽中填充布线。

公开(公告)号：CN1467818A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03108228.9

申请日：2003-03-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 瀧川幸雄 ,  福山俊一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，其中包括如下步骤：(X)在一个半导体基片上形成第一疏水性绝缘层；(Y)使所述第一疏水性绝缘层的表面亲水化；以及(Z)在具有亲水化表面的所述第一疏水性绝缘层上形成具有比氧化硅的特定介电常数更低的特定介电常数的低介电常数绝缘层。在此提供一种制造能够抑制低介电常数绝缘层从疏水性底层上剥离的半导体器件的方法。