公开(公告)号：CN1650408A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02829483.1

申请日：2002-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山本保 ,  绵谷宏文 ,  北田秀树 ,  堀内博志 ,  宫岛基守

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多层配线结构，其特征在于：由第1层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜上的第2层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜中的用第1阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的配线槽、形成在上述第2层间绝缘膜中的用第2阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的通孔、填充上述配线槽的配线图案，以及填充上述通孔的通过插件构成，上述通过插件与上述配线图案的表面接触，上述配线图案在上述表面上具有凹凸，上述配线图案，沿着在上述配线图案中从上述表面朝向上述配线图案内部延伸的晶粒界面，含有高于上述表面中的浓度的氧原子。

公开(公告)号：CN100399520C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN02829483.1

申请日：2002-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山本保 ,  绵谷宏文 ,  北田秀树 ,  堀内博志 ,  宫岛基守

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多层配线结构，其特征在于：由第1层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜上的第2层间绝缘膜、形成在上述第2层间绝缘膜中的用第1阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的配线槽、形成在上述第1层间绝缘膜中的用第2阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的通孔、填充上述配线槽的配线图案，以及填充上述通孔的通过插件构成，上述通过插件与上述配线图案的表面接触，上述配线图案在上述表面上具有凹凸，上述配线图案，沿着在上述配线图案中从上述表面朝向上述配线图案内部延伸的晶粒界面，含有比上述表面的氧浓度高的浓度的氧原子。

公开(公告)号：CN101271861A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810091384.7

申请日：2002-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山本保 ,  绵谷宏文 ,  北田秀树 ,  堀内博志 ,  宫岛基守

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多层配线结构，其特征在于：由第1层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜上的第2层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜中的用第1阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的配线槽、形成在上述第2层间绝缘膜中的用第2阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的通孔、填充上述配线槽的配线图案，以及填充上述通孔的通过插件构成，上述通过插件与上述配线图案的表面接触，上述配线图案在上述表面上具有凹凸，上述配线图案，沿着在上述配线图案中从上述表面朝向上述配线图案内部延伸的晶粒界面，含有高于上述表面中的浓度的氧原子。

公开(公告)号：CN1976000A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610054759.3

申请日：2006-03-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉本贤 ,  大仓嘉之 ,  绵谷宏文 ,  大和田保 ,  福山俊一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76808

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件由包括垂直接线截面的接线结构组成。所述方法包括在接线层上形成由低介电常数材料制成的层间绝缘膜的步骤，通过利用SiH4气体和CO2气体的CVD在层间绝缘膜上形成氧化硅膜的步骤，形成覆盖氧化硅膜的化学放大抗蚀膜的步骤，以及在化学放大抗蚀膜上将形成垂直接线截面的位置处形成第一开口的步骤。