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公开(公告)号：CN1976000A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610054759.3
申请日：2006-03-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76829 , H01L21/76808
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件由包括垂直接线截面的接线结构组成。所述方法包括在接线层上形成由低介电常数材料制成的层间绝缘膜的步骤，通过利用SiH4气体和CO2气体的CVD在层间绝缘膜上形成氧化硅膜的步骤，形成覆盖氧化硅膜的化学放大抗蚀膜的步骤，以及在化学放大抗蚀膜上将形成垂直接线截面的位置处形成第一开口的步骤。
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