公开(公告)号：CN1771593A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN03826446.3

申请日：2003-08-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 福山俊一 ,  大和田保 ,  井上裕子 ,  杉本贤

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于在具有多层配线结构的半导体装置中实现一种防止半导体装置的层间绝缘膜的破损或剥离等、运转速度为高速且结构稳定的半导体装置。根据本发明，在具有多层配线结构的半导体装置中，通过在多层配线结构中形成使用了断裂韧性值大的绝缘膜的配线结构，由此利用断裂韧性值大的绝缘膜，来缓和施加在半导体装置上的应力的影响，防止层间绝缘膜的破损或剥离，从而能够形成稳定的多层配线结构。

公开(公告)号：CN1976000A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610054759.3

申请日：2006-03-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉本贤 ,  大仓嘉之 ,  绵谷宏文 ,  大和田保 ,  福山俊一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76808

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件由包括垂直接线截面的接线结构组成。所述方法包括在接线层上形成由低介电常数材料制成的层间绝缘膜的步骤，通过利用SiH4气体和CO2气体的CVD在层间绝缘膜上形成氧化硅膜的步骤，形成覆盖氧化硅膜的化学放大抗蚀膜的步骤，以及在化学放大抗蚀膜上将形成垂直接线截面的位置处形成第一开口的步骤。