公开(公告)号：CN1189934C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02105834.2

申请日：2002-04-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 福山俊一 ,  大和田保 ,  佐久间裕子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成第一绝缘膜、第一层间绝缘膜、第二和第三绝缘膜以及第二层间绝缘膜。形成布线沟槽到达第三绝缘膜的上表面，并且从布线沟槽的底部到第一绝缘膜的上表面形成通孔。在选择性地腐蚀第二层间绝缘膜的条件下，通过腐蚀第二层间绝缘膜，形成布线沟槽。在选择性地腐蚀第三绝缘膜的条件下，通过腐蚀去除暴露在布线沟槽底部的第三绝缘膜和暴露在通孔底部的第一绝缘膜。在通孔和布线沟槽中填充布线。

公开(公告)号：CN1411049A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02105834.2

申请日：2002-04-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 福山俊一 ,  大和田保 ,  佐久间裕子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成第一绝缘膜、第一层间绝缘膜、第二和第三绝缘膜以及第二层间绝缘膜。形成布线沟槽到达第三绝缘膜的上表面，并且从布线沟槽的底部到第一绝缘膜的上表面形成通孔。在选择性地腐蚀第二层间绝缘膜的条件下，通过腐蚀第二层间绝缘膜，形成布线沟槽。在选择性地腐蚀第三绝缘膜的条件下，通过腐蚀去除暴露在布线沟槽底部的第三绝缘膜和暴露在通孔底部的第一绝缘膜。在通孔和布线沟槽中填充布线。