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公开(公告)号：CN1467818A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03108228.9
申请日：2003-03-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/31
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，其中包括如下步骤：(X)在一个半导体基片上形成第一疏水性绝缘层；(Y)使所述第一疏水性绝缘层的表面亲水化；以及(Z)在具有亲水化表面的所述第一疏水性绝缘层上形成具有比氧化硅的特定介电常数更低的特定介电常数的低介电常数绝缘层。在此提供一种制造能够抑制低介电常数绝缘层从疏水性底层上剥离的半导体器件的方法。
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