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公开(公告)号：CN116153796A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211721856.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明属于三维封装技术领域，具体涉及一种铜‑铜金属键合方法。本发明提供的键合方法，包括以下步骤：在保护气氛下，利用水合肼对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理，得到待键合的镀铜键合体；所述预处理的温度为50～90℃；在保护气氛下，将待键合的镀铜键合体进行加压键合；所述加压键合的温度为200～300℃。实施例的数据表明：本发明提供的键合方法得到的铜‑铜键合面的剪切强度可达22MPa。
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公开(公告)号：CN113257945B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110732481.5
申请日：2021-06-30
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/18 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了电场调节的Ge基双异质结深紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，是以n‑型Ge为基底，在基底上铺设PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜，且Ge与PdTe2薄膜形成异质结、PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜形成异质结。本发明的光电探测器能实现电场调节的深紫外‑近红外双波段光电探测，且制备工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN117293227A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311454691.8
申请日：2023-11-03
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了基于非对称掺杂MXene电极提升Ga2O3深紫外光电探测器性能的方法，该光电探测器是在Ga2O3微米线的两端设置有MXene电极，基于MXene/Ga2O3/MXene结构中形成的肖特基结实现光电探测，通过对一端的MXene电极进行P型掺杂以增大MXene的功函数、对另一端的MXene电极进行N型掺杂以降低MXene的功函数，从而提升Ga2O3微米线与P型掺杂MXene电极之间的势垒高度，增强MXene/Ga2O3/MXene结构中肖特基结的内建电场，实现光生载流子的高效分离和传输，以提升此光电探测器的性能。本发明的方法简单、易于实现。
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公开(公告)号：CN113257945A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110732481.5
申请日：2021-06-30
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/18 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了电场调节的Ge基双异质结深紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，是以n‑型Ge为基底，在基底上铺设PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜，且Ge与PdTe2薄膜形成异质结、PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜形成异质结。本发明的光电探测器能实现电场调节的深紫外‑近红外双波段光电探测，且制备工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN117690869B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410123350.0
申请日：2024-01-30
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/603
Abstract: 本发明属于三维封装技术领域，公开了一种在空气环境中的铜‑铜低温直接键合方法，包括以下步骤：首先，在空气环境中，利用丙三醇对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理，得到待键合的镀铜键合体；然后，在空气环境中，对待键合的镀铜键合体进行加压键合。本发明所提供的键合方法的气体氛围是正常的大气环境，无需保护气体，工艺简单、工艺成本低，有利于工业化生产，且所得到的铜‑铜键合面的剪切强度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219689A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311454653.2
申请日：2023-11-03
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L31/109
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了通过掺杂提升MXene异质结光电探测器性能的方法，该探测器是通过n型半导体与MXene薄膜构成的异质结实现光电探测，通过采用MoO3对MXene薄膜进行掺杂，增大MXene的功函数，从而与n型半导体产生更大的势垒差，增强异质结的内建电场，实现光生载流子的高效分离和传输，提升光电探测器的性能。本发明获得的MXene‑MoO3薄膜/n型半导体异质结光电探测器，既可以利用半导体对可见光‑近红外光的高吸收率，又可以结合二维材料MXene薄膜高导电性，并结合MoO3掺杂对MXene功函数的调节，从而提升了对探测光的吸收效率以及光生载流子的分离和传输效率。
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公开(公告)号：CN117038615A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311104222.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene中间层的铜‑铜低温键合方法，该方法以MXene层作为无铅焊料与两铜衬底间的中间层，在保护气体和低温下实现两铜衬底的键合。本发明在采用无铅焊料进行Cu‑Cu键合时，以MXene作为焊料与Cu层之间的中间层，可以阻碍键合界面之间铜原子的快速扩散，从而抑制铜锡金属间化合物的过度生长，改善键合界面的力学、热学等性能，提高键合的质量，尤其是提高焊点在高温下长时间工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN117219689B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311454653.2
申请日：2023-11-03
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L31/109
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了通过掺杂提升MXene异质结光电探测器性能的方法，该探测器是通过n型半导体与MXene薄膜构成的异质结实现光电探测，通过采用MoO3对MXene薄膜进行掺杂，增大MXene的功函数，从而与n型半导体产生更大的势垒差，增强异质结的内建电场，实现光生载流子的高效分离和传输，提升光电探测器的性能。本发明获得的MXene‑MoO3薄膜/n型半导体异质结光电探测器，既可以利用半导体对可见光‑近红外光的高吸收率，又可以结合二维材料MXene薄膜高导电性，并结合MoO3掺杂对MXene功函数的调节，从而提升了对探测光的吸收效率以及光生载流子的分离和传输效率。
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公开(公告)号：CN119300433A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411775153.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种纵向导通常关型金刚石功率晶体管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。其包括以下结构：p型低阻金刚石单晶衬底；p型高阻金刚石漂移层一，位于p型低阻金刚石单晶衬底的上表面；p型低阻金刚石插入层，位于p型高阻金刚石漂移层一的上表面；p型高阻金刚石漂移层二，位于p型低阻金刚石插入层的上表面；p型低阻金刚石帽层，位于p型高阻金刚石漂移层二的上表面，以及欧姆接触电极、栅介质层和肖特基栅电极。本发明提供的晶体管带有多层结构的复合外延层，其中低阻插入层可以实现降低导通电阻并提高阈值电压；高阻漂移层可以承受较高的电压。
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公开(公告)号：CN117690869A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410123350.0
申请日：2024-01-30
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/603
Abstract: 本发明属于三维封装技术领域，公开了一种在空气环境中的铜‑铜低温直接键合方法，包括以下步骤：首先，在空气环境中，利用丙三醇对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理，得到待键合的镀铜键合体；然后，在空气环境中，对待键合的镀铜键合体进行加压键合。本发明所提供的键合方法的气体氛围是正常的大气环境，无需保护气体，工艺简单、工艺成本低，有利于工业化生产，且所得到的铜‑铜键合面的剪切强度高。
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