公开(公告)号：CN113257945A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110732481.5

申请日：2021-06-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢超 ,  梁毅 ,  杨文华 ,  黄志祥

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0264

Abstract: 本发明公开了电场调节的Ge基双异质结深紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，是以n‑型Ge为基底，在基底上铺设PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜，且Ge与PdTe2薄膜形成异质结、PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜形成异质结。本发明的光电探测器能实现电场调节的深紫外‑近红外双波段光电探测，且制备工艺简单、成本低廉。

公开(公告)号：CN113257945B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110732481.5

申请日：2021-06-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢超 ,  梁毅 ,  杨文华 ,  黄志祥

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0264

Abstract: 本发明公开了电场调节的Ge基双异质结深紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，是以n‑型Ge为基底，在基底上铺设PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜，且Ge与PdTe2薄膜形成异质结、PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜形成异质结。本发明的光电探测器能实现电场调节的深紫外‑近红外双波段光电探测，且制备工艺简单、成本低廉。