NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用

    公开(公告)号:CN118969876A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411433963.0

    申请日:2024-10-15

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用,属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层,开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液,采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜,其带隙为1.70 eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉,并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结,表现出优良的自供电光电探测性能,为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。

    一种基于布洛赫表面特征态的激光腔体结构

    公开(公告)号:CN118554256B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410978092.4

    申请日:2024-07-22

    申请人: 安徽大学

    IPC分类号: H01S5/10 H01S5/068

    摘要: 本发明公开一种基于布洛赫表面特征态的激光腔结构,属于激光腔技术领域,包括:自上而下连接的P型电极、P型掺杂限制层、P型掺杂波导层、有源层、N型掺杂波导层、N型掺杂限制层、衬底、N型电极;在所述有源层中设置光子晶体。采用本发明的技术方案,可以使激光器产生更强的单向辐射、并且不需要反射镜结构,从而有效的减小激光器的体积。

    全金属光栅结构超表面透射天线及通信设备

    公开(公告)号:CN118659132A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410745898.9

    申请日:2024-06-11

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明提供了一种全金属光栅结构超表面透射天线及通信设备。所述全金属光栅结构超表面透射天线,包括超表面阵列和馈源,馈源位于所述超表面阵列的中心线上;所述超表面阵列包括若干个呈阵列排布的全金属透射型单元。优选的,所述全金属透射型单元包括三层金属层,分别为上光栅、挖槽金属片以及下光栅;本发明并非采用介质板结构,避免了FR4或F4B材料的使用。且本发明中上光栅、挖槽金属片以及下光栅均为金属材料,相比于FR4或F4B,本发明更能适用于恶劣环境下的应用,如外太空或高辐射环境或者大功率辐射,能够承受更严苛的物理和化学条件。

    融合自适应分离与深度学习的雷达HRRP多目标识别方法

    公开(公告)号:CN118642067A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202411117682.4

    申请日:2024-08-15

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明涉及一种融合自适应分离与深度学习的雷达HRRP多目标识别方法,包括:进行数据仿真处理:构造数据集,构建雷达仿真测试场景,得到单目标HRRP信号和多目标HRRP信号;利用仿真得到的单目标HRRP信号训练分类器,得到训练好的分类器;对多目标HRRP信号进行自适应分离,提取各个目标独立的子HRRP信号,对分离后的子HRRP信号进行预处理,将经过预处理后的子HRRP信号输入至训练好的分类器中进行测试识别,获得各个目标对应的类别信息。本发明在功能上实现了基于雷达HRRP信号的多目标识别,适用实际的雷达搜索、跟踪任务;能够有效地从复杂的多目标HRRP信号中提取并分离出各个子目标的HRRP,大幅度提升了多目标信号分离的准确性和自适应性。

    一种大规模准周期阵列电磁结构的电磁散射快速分析方法

    公开(公告)号:CN118378509B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410833100.6

    申请日:2024-06-26

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明涉及一种大规模准周期阵列电磁结构的电磁散射快速分析方法,包括:进行大规模准周期阵列结构的几何建模和剖分,得到所有单元的几何信息;建立参考单元的广义特征值分程;基于经验插值法选取插值基函数;对格林函数及电场积分方程进行参数分解,构造一组阻抗矩阵的正交基函数和基函数系数;对整个大规模准周期阵列结构的表面电流进行求解,计算整个准周期阵列结构的表面电流。本发明建模简单,只需要对参考单元进行建模;减少阻抗矩阵填充时间,只需求解一个低阶线性方程组即可获得不同几何参数下的阻抗矩阵;减少未知量和节省计算资源,将截断的单个单元的特征模式电流用做全域基函数,从而显著减少准周期阵列的矩阵特征方程的未知量数目。

    一种耐压的GaN HEMT结构
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118630040A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202411104079.2

    申请日:2024-08-13

    申请人: 安徽大学

    IPC分类号: H01L29/06 H01L29/778

    摘要: 本发明公开了一种耐压的GaN HEMT结构,涉及半导体技术领域。本发明将势垒层设置成横向方向Al组分不同的势垒层,因每部分势垒层组分不同,导致产生不同的应力,形成不同深度的量子阱,从而诱发相应的不同的极化效应,因而在第一势垒层的一侧依次连接的第二势垒层、第三势垒层、第四势垒层在第一势垒层同侧的通道层上形成从栅极向漏电极逐渐递增的二维电子气,在第一势垒层另一侧连接的第五势垒层同侧的通道层上形成从栅极向源电极逐渐递增的二维电子气,因此在栅极与漏电极和源电极间的区域形成平滑的电场分布,提升了漂移区平均电场强度,且降低泄漏电流,使得器件的耐压能力大大提高,输出性能也得到改善。

    一种压电驱动低频双极化天线

    公开(公告)号:CN118487032A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410947314.6

    申请日:2024-07-16

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明公开了一种压电驱动低频双极化天线,包括:聚合物‑压电陶瓷柱、交流电压馈电源、电极馈电端面;交流电压馈电源用于从电极馈电端面馈入交流电压,压电单元通过逆压电效应产生振动,获得水平方向和垂直方向上的低频电磁波辐射;电极馈电端面设置于聚合物‑压电陶瓷柱的两端,用于通过馈入的交流电压驱动聚合物‑压电陶瓷柱产生沿极化方向的振动,聚合物‑压电陶瓷柱产生电偶极子运动位移,位移频率为振动频率,并以振动频率向外界辐射电磁波。本发明所设计的压电驱动低频双极化天线具有工作频率低、双极化的特点,且谐振频率可调,在低频的基础上增强辐射效果,提供更好的通信质量。

    基于电热多物理场随机FDTD的电磁辐射强度评估方法

    公开(公告)号:CN117236110B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202311124149.6

    申请日:2023-09-01

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明提供了基于电热多物理场随机FDTD的电磁辐射强度评估方法,属于生物医学应用领域,包括如下步骤:采用人体组织材料皮肤、肌肉和脂肪构建人体分层模型,并将其划分为多个网格;将人体组织材料的电学特性参数均值输入并储存到对应材料的网格中,得到电学特性参数均值网格;计算电学特性参数均值网格内任一时刻的电磁场均值;将人体组织材料的电学特性参数的方差输入并储存到对应材料的网格中,计算电磁场方差;将人体组织材料的热学特性参数均值输入并储存到对应材料的网格中,计算热分析源;根据热传导方程计算热学特性参数均值网格内任一时刻的温度均值,并迭代计算温度方差;通过温度均值和温度方差判断电磁波辐射对人体温度的影响。