本发明公开了一种耐压的GaN HEMT结构，涉及半导体技术领域。本发明将势垒层设置成横向方向Al组分不同的势垒层，因每部分势垒层组分不同，导致产生不同的应力，形成不同深度的量子阱，从而诱发相应的不同的极化效应，因而在第一势垒层的一侧依次连接的第二势垒层、第三势垒层、第四势垒层在第一势垒层同侧的通道层上形成从栅极向漏电极逐渐递增的二维电子气，在第一势垒层另一侧连接的第五势垒层同侧的通道层上形成从栅极向源电极逐渐递增的二维电子气，因此在栅极与漏电极和源电极间的区域形成平滑的电场分布，提升了漂移区平均电场强度，且降低泄漏电流，使得器件的耐压能力大大提高，输出性能也得到改善。