公开(公告)号：CN118630040A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202411104079.2

申请日：2024-08-13

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  智薇 ,  黄志祥 ,  王刚 ,  吴博 ,  王丽华 ,  牛凯坤 ,  王思亮 ,  李迎松 ,  吴先良 ,  曹孙根

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种耐压的GaN HEMT结构，涉及半导体技术领域。本发明将势垒层设置成横向方向Al组分不同的势垒层，因每部分势垒层组分不同，导致产生不同的应力，形成不同深度的量子阱，从而诱发相应的不同的极化效应，因而在第一势垒层的一侧依次连接的第二势垒层、第三势垒层、第四势垒层在第一势垒层同侧的通道层上形成从栅极向漏电极逐渐递增的二维电子气，在第一势垒层另一侧连接的第五势垒层同侧的通道层上形成从栅极向源电极逐渐递增的二维电子气，因此在栅极与漏电极和源电极间的区域形成平滑的电场分布，提升了漂移区平均电场强度，且降低泄漏电流，使得器件的耐压能力大大提高，输出性能也得到改善。

公开(公告)号：CN116705855B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310702671.1

申请日：2023-06-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  琚胡平 ,  智薇 ,  黄志祥 ,  王刚 ,  牛凯坤 ,  王思亮 ,  李迎松 ,  吴先良 ,  曹孙根

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供的一种SOI MOSFET结构，包括衬底层、埋氧层、活性区、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极及导热柱，埋氧层设置于衬底层的上表面，埋氧层的材质为SiO2，活性区设置于埋氧层的上表面，源电极和漏电极设置于活性区的上表面，栅介质层设置于源电极与漏电极之间；栅电极设置于栅介质层内，导热柱贯穿埋氧层，导热柱的顶壁与活性区接触。本发明设置了导热柱，从而活性区的热量可以经活性区下方的导热柱将热量散出，从而不会出现活性区晶格温度极度升高的情况，避免了漏电极电流的减小。

公开(公告)号：CN116705855A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310702671.1

申请日：2023-06-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  琚胡平 ,  智薇 ,  黄志祥 ,  王刚 ,  牛凯坤 ,  王思亮 ,  李迎松 ,  吴先良 ,  曹孙根

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供的一种SOI MOSFET结构，包括衬底层、埋氧层、活性区、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极及导热柱，埋氧层设置于衬底层的上表面，埋氧层的材质为SiO2，活性区设置于埋氧层的上表面，源电极和漏电极设置于活性区的上表面，栅介质层设置于源电极与漏电极之间；栅电极设置于栅介质层内，导热柱贯穿埋氧层，导热柱的顶壁与活性区接触。本发明设置了导热柱，从而活性区的热量可以经活性区下方的导热柱将热量散出，从而不会出现活性区晶格温度极度升高的情况，避免了漏电极电流的减小。