半导体器件光电特性的预测方法、系统、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118862790A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202411346439.X

    申请日:2024-09-26

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明提供了一种半导体器件光电特性的预测方法,包括构建光学模型的麦克斯韦方程和电学模型的扩散漂移方程;根据矢量磁位和标量电位对麦克斯韦方程简化得到第一麦克斯韦方程;根据频域洛伦兹规范通过频域有限差分法对第一麦克斯韦方程处理得到达朗贝尔方程后,进行五点中心差分网格离散后得到矢量磁位;根据矢量磁位计算吸收能量密度和载流子生成率;将生成率代入漂移方程中,采用有限差分法和指数差分近似方法对电子和空穴的电流连续性方程求解得到电学特性的预测结果。本方案解决了现有技术可能面临低频击穿问题,并且在光学模型和电学模型耦合的过程由于计算量大和计算原理复杂,从而导致对半导体器件的光电特性预测不够准确的问题。

    宽带双圆极化磁电偶极子天线

    公开(公告)号:CN117913515A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410319837.6

    申请日:2024-03-20

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明公开了一种宽带双圆极化磁电偶极子天线,属于天线技术领域,包括由上到下依次垂直设置的第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、第四介质基板以及第五介质基板;第一介质基板上设置有天线辐射单元,天线辐射单元包括寄生耦合微带线组件、第一辐射微带贴片单元组件和第二辐射微带贴片单元组件;寄生耦合微带线组件、第一辐射微带贴片单元组件和第二辐射微带贴片单元组件均关于第一介质基板的中心点呈中心对称分布,第一金属通孔关于第一介质基板的中心点呈中心对称分布。采用上述结构的一种宽带双圆极化磁电偶极子天线,通过天线辐射单元实现天线的双圆极化特性,且抗干扰能力强。

    一种基于CIC-PC的高速弹丸测速传感器、测量方法及测量系统

    公开(公告)号:CN117783577A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311828659.1

    申请日:2023-12-28

    申请人: 安徽大学

    IPC分类号: G01P3/66 G06N3/04 G06N3/084

    摘要: 本发明涉及弹丸速度测量技术领域,具体涉及一种基于CIC‑PC的高速弹丸测速传感器,包括第一传感器和测速电路,所述第一传感器的后侧设置有第二传感器,所述第一传感器包括绝缘体层,所述绝缘体层的两侧对称设置有导体层。本发明采用多个传感器耦接的方式来检测、CIC‑PC传感器的设计,传感器选材低廉,降低了弹丸测速的成本,提高了传感器的稳定性,提高了速度测量的准度,采用BP神经网络处理数据,对测速过程前进行预测,减少了噪声信号的干扰,对测速过程后的速度进行检验,训练结果可对测速数据进行矫正补偿,提高了速度检测的准确度,大大提高了速度检测的效率,且可以实现在各种环境下完成测量各种口径与材料弹丸的速度。

    一种可增强二次谐波产生效率的BIC超表面

    公开(公告)号:CN117075409B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311332335.9

    申请日:2023-10-16

    申请人: 安徽大学

    IPC分类号: G02F1/355 G02F1/37 G02B1/00

    摘要: 本发明公开了一种可增强二次谐波产生效率的BIC超表面,属于光学超表面技术领域,所述的超表面由若干个方形晶格构成,每个方形晶格的中央设置有贯穿的十字槽;方形晶格超表面具备四重旋转对称性;方形晶格的材料Al0.18Ga0.82As在基波和二次谐波附近处的折射率分别为3.2和3.5,其中基波处的波长为880nm,二次谐波处的波长为440nm。本发明采用上述结构的一种可增强二次谐波产生效率的BIC超表面,其支持基波和二次谐波处的双BIC模式,破坏对称性后双BIC转化为双准BIC模式,准BIC仍拥有较大的品质因子,可增加二次谐波的转化效率。

    一种可增强二次谐波产生效率的BIC超表面

    公开(公告)号:CN117075409A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311332335.9

    申请日:2023-10-16

    申请人: 安徽大学

    IPC分类号: G02F1/355 G02F1/37 G02B1/00

    摘要: 本发明公开了一种可增强二次谐波产生效率的BIC超表面,属于光学超表面技术领域,所述的超表面由若干个方形晶格构成,每个方形晶格的中央设置有贯穿的十字槽;方形晶格超表面具备四重旋转对称性;方形晶格的材料Al0.18Ga0.82As在基波和二次谐波附近处的折射率分别为3.2和3.5,其中基波处的波长为880nm,二次谐波处的波长为440nm。本发明采用上述结构的一种可增强二次谐波产生效率的BIC超表面,其支持基波和二次谐波处的双BIC模式,破坏对称性后双BIC转化为双准BIC模式,准BIC仍拥有较大的品质因子,可增加二次谐波的转化效率。

    一种基于脑电波的头戴式疲劳驾驶检测设备、检测系统及检测方法

    公开(公告)号:CN116725539A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310787312.0

    申请日:2023-06-30

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明属于汽车安全驾驶领域,包括:MCU控制器,实现对疲劳度模拟量的采集以及对各模块的协调控制;脑电波检测模块,实现对驾驶者脑电波信号的采集及发送;心率检测电路,实现对驾驶者心率的检测;坐姿检测电路,实现对驾驶者坐姿的检测;蓝牙通信电路,包括主从蓝牙,实现脑电波信号的传输,主要通过一对主从蓝牙完成脑电波信号的传输,从机蓝牙实现脑电波信号的发送,主机蓝牙实现脑电波信号的接收;语音预警电路,实现检测到驾驶者疲劳驾驶时,进行语音播报预警。本发明专利基于脑电信号的特征参数对人体的状态进行判别,提出一种低成本、高精度,便于对驾驶员疲劳状态进行预警的设备及方法。

    一种中介低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115124340A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210747970.2

    申请日:2022-06-29

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明公开了一种中介低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用,所述陶瓷材料其原料包括ZnZrNb2O8和锂硼铋硅玻璃;所述锂硼铋硅玻璃的原料按质量百分比包括:10‑30%的Li2CO3、20‑40%的H3BO3、15‑35%的Bi2O3、15‑40%的SiO2。本发明提供的陶瓷材料在850‑950℃烧结良好,锂硼铋硅玻璃和陶瓷基体间不发生化学反应,保证了物相的可控性,同时降低了烧结温度,提高了陶瓷的致密度,具有优异的介电性能,得到的陶瓷材料能与银电极共烧。

    一种太阳能电池内部损耗机制的诊断方法

    公开(公告)号:CN117709132A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202410163721.8

    申请日:2024-02-05

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本发明公开了一种太阳能电池内部损耗机制的诊断方法,涉及太阳能电池领域,太阳能电池包括阳极和阴极,所述阴极与所述阳极之间从上到下依次设置有电子传输层、活性层和空穴传输层;诊断方法包括以下步骤:S1:使用太阳能电池多物理场仿真平台对太阳能电池进行建模,通过调控太阳能电池活性层体缺陷、表面缺陷以及电压扫描速率仿真出A、B、C、D四种类型的太阳能电池JV曲线图;S2:对太阳能电池进行正向电压扫描,得到正向JV曲线图;再进行反向电压扫描,得到反向JV曲线图,根据所得到的正反向两种曲线图判断JV曲线图是A、B、C、D类型中的哪一类;本发明根据仿真出来的JV曲线类型进行分析,诊断其对应的太阳能电池内部损耗机制。