高Q值低介电常数LTCC粉、LTCC材料及制备方法、生瓷带及制备方法和应用
摘要:
本发明公开了一种高Q值低介电常数LTCC材料、生瓷带及其制备方法,所述LTCC粉由包括Mg2SiO4和CuF2的原料混合而成,且所述CuF2的重量为所述Mg2SiO4重量的1‑6%,其采用CuF2作为添加剂,不仅能够降低烧结温度,还会与Mg2SiO4陶瓷发生反应导致晶格畸变,并对晶体结构进行微调,增强Q×f值和温度稳定性,解决了现有LTCC材料在GHZ高频下介电损耗高的问题,可用于高频集成领域中。
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