公开(公告)号：CN118862790A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411346439.X

申请日：2024-09-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  司俊杰 ,  谢国大 ,  黄志祥 ,  陈志亮 ,  叶飞鸿 ,  王刚 ,  吴博 ,  吕瑞瑞 ,  肖文明 ,  曹孙根

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/23 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件光电特性的预测方法，包括构建光学模型的麦克斯韦方程和电学模型的扩散漂移方程；根据矢量磁位和标量电位对麦克斯韦方程简化得到第一麦克斯韦方程；根据频域洛伦兹规范通过频域有限差分法对第一麦克斯韦方程处理得到达朗贝尔方程后，进行五点中心差分网格离散后得到矢量磁位；根据矢量磁位计算吸收能量密度和载流子生成率；将生成率代入漂移方程中，采用有限差分法和指数差分近似方法对电子和空穴的电流连续性方程求解得到电学特性的预测结果。本方案解决了现有技术可能面临低频击穿问题，并且在光学模型和电学模型耦合的过程由于计算量大和计算原理复杂，从而导致对半导体器件的光电特性预测不够准确的问题。

公开(公告)号：CN118862790B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411346439.X

申请日：2024-09-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  司俊杰 ,  谢国大 ,  黄志祥 ,  陈志亮 ,  叶飞鸿 ,  王刚 ,  吴博 ,  吕瑞瑞 ,  肖文明 ,  曹孙根

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/23 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件光电特性的预测方法，包括构建光学模型的麦克斯韦方程和电学模型的扩散漂移方程；根据矢量磁位和标量电位对麦克斯韦方程简化得到第一麦克斯韦方程；根据频域洛伦兹规范通过频域有限差分法对第一麦克斯韦方程处理得到达朗贝尔方程后，进行五点中心差分网格离散后得到矢量磁位；根据矢量磁位计算吸收能量密度和载流子生成率；将生成率代入漂移方程中，采用有限差分法和指数差分近似方法对电子和空穴的电流连续性方程求解得到电学特性的预测结果。本方案解决了现有技术可能面临低频击穿问题，并且在光学模型和电学模型耦合的过程由于计算量大和计算原理复杂，从而导致对半导体器件的光电特性预测不够准确的问题。