NaBiS2多晶薄膜材料、TiO2/NaBiS2异质结薄膜及其光电探测应用

    公开(公告)号:CN119491301A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202510076073.7

    申请日:2025-01-17

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种NaBiS2多晶薄膜材料、TiO2/NaBiS2异质结薄膜及其光电探测应用,属于电子新材料、新器件技术领域。本发明使用乙二胺、β‑巯基乙醇及1,2‑乙二硫醇的三溶剂体系的二次溶液反应法来溶解氢氧化钠、氧化铋及升华硫作为形成NaBiS2的前驱体溶液,采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系的NaBiS2薄膜,其带隙为1.35 eV,表面形貌平整、均匀、无裂纹。该薄膜的制备工艺简单、成本低廉,产物纯相。同时,本发明提出了其异质TiO2的光电探测应用,所述光电探测器依次由FTO基底、TiO2多孔层、NaBiS2吸光层及廉价碳电极复合组成,通过NaBiS2吸光层与TiO2多孔层结合形成异质结,使其具有良好的自供电特性,为电子材料和器件领域提供了一种新型半导体薄膜材料、制备方法及光电探测应用的范例。

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