公开(公告)号：CN117913173A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410023476.0

申请日：2024-01-08

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢峰 ,  张文阔 ,  韩小标 ,  杨国锋 ,  俞本立

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明属于日盲紫外探测器技术领域，具体涉及一种AlGaN单极势垒型nBn结构日盲紫外光电探测器，包括依次层叠生长的衬底层、缓冲层、接触层、势垒层、和吸收层，接触层和吸收层上均设有欧姆接触电极；所述衬底层采用蓝宝石或氧化铝或碳化硅，所述缓冲层采用AlN或Al2O3，所述接触层采用GaN或AlGaN，所述势垒层采用AlN，所述吸收层采用采用AlGaN或GaN，接触层和吸收层位置可交换，接触层和吸收层均为N型掺杂，非P型掺杂；其中，接触层、势垒层以及吸收层形成AlGaN/AlN/GaN单极势垒异质结，通过合理调控AlN势垒层的厚度以及AlGaN的组分，实现能带结构中大的导带偏移ΔEc以及较小的价带偏移ΔEv，与传统n‑n同型异质结光电探测器相比，可以更好的抑制暗电流，提高雪崩增益因子。

公开(公告)号：CN119300433A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411775153.3

申请日：2024-12-05

Applicant: 安徽大学

Inventor： 韩小标 ,  黄志祥 ,  曾玮 ,  王思亮 ,  杨文华 ,  谢超 ,  陈志亮 ,  桂鹏彬 ,  叶飞鸿 ,  许红升

IPC: H10D30/87 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明公开了一种纵向导通常关型金刚石功率晶体管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。其包括以下结构：p型低阻金刚石单晶衬底；p型高阻金刚石漂移层一，位于p型低阻金刚石单晶衬底的上表面；p型低阻金刚石插入层，位于p型高阻金刚石漂移层一的上表面；p型高阻金刚石漂移层二，位于p型低阻金刚石插入层的上表面；p型低阻金刚石帽层，位于p型高阻金刚石漂移层二的上表面，以及欧姆接触电极、栅介质层和肖特基栅电极。本发明提供的晶体管带有多层结构的复合外延层，其中低阻插入层可以实现降低导通电阻并提高阈值电压；高阻漂移层可以承受较高的电压。