公开(公告)号：CN118053923A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410016775.1

申请日：2024-01-05

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢峰 ,  段玉 ,  杨国锋 ,  俞本立

IPC: H01L31/0236 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于半导体光电器件技术领域内的一种蛾眼结构背照式日盲紫外探测器及其制备方法，包括依次层叠生长的双面抛光c面蓝宝石衬底、AlN缓冲层、N型AlxGa1‑xN层、I型AlyGa1‑yN有源层和P型AlyGa1‑yN层，c面蓝宝石衬底上表面形成PIN结构的背照式日盲紫外探测器；其中，N型AlxGa1‑xN层和P型AlyGa1‑yN层上生长有欧姆接触电极；c面蓝宝石衬底下表面设有纳米蛾眼阵列结构，纳米蛾眼阵列结构分别包括半椭球形蛾眼结构、圆锥形蛾眼结构和高斯形蛾眼结构。本发明提出纳米仿生蛾眼结构的蓝宝石衬底，利用蛾眼表面纳米量级的周期性微小凸起，所显示出的高透射来实现减反增透效果，并且采用背照式接收光线，结合PIN结构，可以最大程度地利用光，增加器件的光学利用率，提升器件的光响应性能。

公开(公告)号：CN117913173A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410023476.0

申请日：2024-01-08

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢峰 ,  张文阔 ,  韩小标 ,  杨国锋 ,  俞本立

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明属于日盲紫外探测器技术领域，具体涉及一种AlGaN单极势垒型nBn结构日盲紫外光电探测器，包括依次层叠生长的衬底层、缓冲层、接触层、势垒层、和吸收层，接触层和吸收层上均设有欧姆接触电极；所述衬底层采用蓝宝石或氧化铝或碳化硅，所述缓冲层采用AlN或Al2O3，所述接触层采用GaN或AlGaN，所述势垒层采用AlN，所述吸收层采用采用AlGaN或GaN，接触层和吸收层位置可交换，接触层和吸收层均为N型掺杂，非P型掺杂；其中，接触层、势垒层以及吸收层形成AlGaN/AlN/GaN单极势垒异质结，通过合理调控AlN势垒层的厚度以及AlGaN的组分，实现能带结构中大的导带偏移ΔEc以及较小的价带偏移ΔEv，与传统n‑n同型异质结光电探测器相比，可以更好的抑制暗电流，提高雪崩增益因子。

公开(公告)号：CN116207206A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310046702.2

申请日：2023-01-31

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢峰 ,  杨国锋 ,  曾玮 ,  俞本立

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/64 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明公开了一种高光功率密度芯片级白光LED及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。本发明用于解决将荧光玻璃用于芯片级白光LED并未考虑侧壁蓝光外泄问题，导致白光LED光热性能受限，且制备时封装集成度低、封装成本高的技术问题。该芯片级白光LED包括散热基板、倒装LED芯片、无机荧光体和反射围坝；倒装LED芯片贴装于散热基板的表面金属层上；无机荧光体含有荧光层和导热基片，且固定于倒装LED芯片顶面。本发明还公开了相应的芯片级白光LED制备方法。本发明有效改善了荧光层热稳定性，满足高功率密度LED芯片激发需求，且避免了芯片侧壁蓝光外泄、导热差等问题，提高了芯片级白光LED的光热性能。